[发明专利]接触窗的形成方法

权利要求书

1.一种接触窗的形成方法，包括：

提供一基底；

形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面；

在该基底上形成一层间介电层；

移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；

移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口；以及

对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。

2.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，还包括在该基底上形成至少一层抗反射层。

3.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中在形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在该基底上形成该层间介电层之前，还包括在该基底上形成一衬层。

4.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。

5.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM)层以及底层(UL)。

6.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求2所述的接触窗的形成方法，其中该抗反射层的材质包括氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该导电材料的材质为钨金属。

9.如权利要求3所述的接触窗的形成方法，其中该衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。

10.一种存储器的接触窗的形成方法，包括：

提供一基底，该基底上已形成有多个存储器的选择栅极；

在该些选择栅极之间，形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；

在该基底上形成一层间介电层；

移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；

移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口；以及

对该开口填充一导电材料而于该些选择栅极之间形成一接触窗。

11.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，还包括在该基底上形成至少一层抗反射层。

12.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中在该些选择栅极之间，形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在该基底上形成该层间介电层之前，还包括在该基底上形成一衬层。

13.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中移除该层间介电层的一部分至露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。

14.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中在该些选择栅极之间，形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层包括：

在该基底上形成该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；以及

图案化该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，使经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层位于该些选择栅极之间。

15.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM)层以及底层(UL)。

16.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

17.如权利要求11所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该抗反射层的材质包括氮氧化硅。

18.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该导电材料的材质为钨金属。

19.如权利要求12所述的接触窗的形成方法，其中该衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。