[发明专利]一种电压缓冲器电路以及集成该电路的LDO

权利要求书

1.一种电压缓冲器电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻单元、第二电阻单元和一电容元件、一电流源，其中，

第一MOS管的栅极作为所述电压缓冲器电路的输入端，源极与第四MOS管的漏极相连并作为所述电压缓冲器电路的输出端，第一MOS管的漏极与第四MOS管的栅极、第一电阻单元第一端子连接，第一电阻单元的第二端子连接至地电位；

第二MOS管的源极和第三MOS管的源极与外部电源电压相连接，第二MOS管的漏极与第一MOS管的源极相连接，第二MOS管的栅极与第二电阻单元的第一端子相连，第二电阻单元的第二端子与第三MOS管的栅极相连；

第三MOS管的栅极和漏极短接，并与所述电流源的第一端子相连接，电流源的第二端子接地；

第四MOS管的栅极通过所述的电容元件与第二MOS管的栅极相连接，第四MOS管的源极接至地电位。

2.根据权利要求1所述的压缓冲器电路，其特征在于，所述的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管具体为PMOS管。

3.根据权利要求2所述的压缓冲器电路，其特征在于，所述的第四MOS管具体为NMOS管。

4.根据权利要求2或3所述的压缓冲器电路，其特征在于，所述的电流源具体通过一NMOS管实现，其中，所述NMOS管的漏极作为所述的电流源第一端子，所述NMOS管的源极作为所述的电流源第二端子，所述NMOS管的极连接外部的偏置电压。

5.一种集成了权利要求1至4任一权利要求所述的电压缓冲器电路的LDO，还包括：第一放大器、调整管、第一反馈电阻单元和第二反馈电阻单元，第一放大器的反相输入端连接至外部的基准电压，正相输入端连接至第二反馈电阻单元的第一端子，第一放大器的输出端连接至电压缓冲器电路的输入端，电压缓冲器电路的输出端连接至调整管的栅极，调整管的漏极作为LDO的输出端，第一反馈电阻单元的第一端子与LDO的输出端，第一反馈电阻单元的第二端子与第二反馈电阻单元的第一端子相连，第二反馈电阻单元的第二端子接地。