[发明专利]有机EL器件制造方法

说明书

本申请是2009年12月14日提交的，申请号为200910253190.7，名称为“有机EL器件制造装置、成膜装置及其成膜方法、液晶显示基板制造装置以及定位装置及定位方法”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及有机EL器件制造装置、成膜装置及其成膜方法、液晶显示基板制造装置以及定位装置及定位方法，尤其涉及适用于大型基板的定位的有机EL器件制造装置以及成膜装置以及液晶显示基板制造装置。

背景技术

作为制造有机EL器件的有力的方法有真空蒸镀法。真空蒸镀法需要基板和掩模的定位。随着逐年处理基板的大型化，6G一代基板规格成为1500mm×1800mm。若基板规格大型化，掩模当然也大型化，其尺寸达到2000mm×2000mm程度。尤其是，若使用钢制的掩模，则其重量在有机器将中达到300kg。一直以来，使基板以及掩模处于水平来实施定位（对位）。而且，由于大型化，定位精度也变得严格，其要求较高。作为与这种定位相关的现有技术，有下述的专利文献1、2。另外，关于定位的补正，在专利文献2中公开了在水平的定位方面加进定位检测量与实际的补正量之差来进行定位的方法。

专利文献1：日本特开2006-302896号公报

专利文献2：日本特开2008-004358号公报

然而，专利文献1公开的将基板和掩模横置进行对位的方法如图14所示，基板以及掩模因其薄度和自重而产生较大地挠曲。如果该挠曲是均匀的，考虑到这种情况也可以制作掩模，但是若中心挠曲相对变大，基板规格变大则制作变得困难。另外，一般情况下，其中心点的挠曲量在将基板的挠曲设为d1、将掩模的挠曲设为d2时，则为d1>d2。若基板挠曲大，则基板蒸镀面与掩模接触进行定位时，对在前工序中蒸镀的有机膜产生接触伤，因此在定位时需要使基板和掩模较大地分离。但是，若分离到景深以上进行定位，则精度变差，存在成为不良产品的问题。特别是显示装置用基板不能得到高质量的图像。

为了对付该问题，有使基板和掩模大致垂直地进行蒸镀的方法。通过使其垂直，从而能够大幅度地减少因基板和荫罩的自重引起的挠曲。但是，荫罩其掩模部薄至20~50μm，其制造时如图1所示，掩模整体从中心向周围发生翘曲，其影响在掩模部端部较大。图11夸张地描述了该状态，从而可知在基板和荫罩之间产生数十μm的间隙，该间隙引起蒸镀模糊，存在不能高精度地进行蒸镀的问题。

另外，如图15所示，专利文献1所记载的现有方法为了防止蒸镀材料附着在定位标记上，使用所谓反射型光学系统，该反射型光学系统配置了在与蒸镀侧相反的一侧，接受从垂直或斜方向照明的光源及其反射的摄像机，检测定位标记进行定位。在现有的有机EL器件制造装置中，将如图3的引出图所示，设置在钢制掩模上的四边形的凹部和设置在透明基板上的金属部作为定位标记，以金属部来到四边形的中心的方式定位。然而，反射型光学系统存在如下问题，并存在不能精度良好地定位的问题。（1）由于掩模表面进行了镜面精加工而引起晕光，因此不能提高照明强度，若变低则无法检测金属部。（2）为了定位时不损伤基板表面而需要在与掩模之间设置0.5mm左右的间隙，但是反射型光学系统由于景深变小而导致图像成为模糊。

其次，在专利文献1所公开的方法中，由于将对基板和掩模进行定位的整个机构设置在真空内，因此有可能产生伴随着驱动部等的移动的粉尘以及热量或者来自通往驱动部等的配线的气体、来自润滑剂的气体、来自部件表面的气体使真空度降低。第一，通往真空内的粉尘其粉尘附着在基板和掩模上引起蒸镀不良，第二，发热助长掩模的热膨胀使蒸镀规格发生变化，并且，第三，气体使真空度下降，因此均存在使成品率即生产性下降的问题。

另外，由于对基板和掩模进行定位的整个机构设置在真空内，因此存在一旦在驱动部等发生故障，则维修需要时间，装置的工作效率下降之类的问题。

发明内容

因此，本发明的第一目的在于，提供降低基板和掩模的挠曲，可高精度地蒸镀的有机EL器件制造装置及成膜装置以及液晶显示基板制造装置。

另外，本发明的第二目的在于，提供降低荫罩的翘曲的影响，可高精度地蒸镀的有机EL器件制造装置、成膜装置及其成膜方法。

再有，本发明的第三目的在于，提供可精度良好地定位的定位装置以及定位方法。

另外，本发明的第四目的在于，提供使用上述定位装置或定位方法，可高精度地蒸镀的有机EL器件制造装置以及成膜装置。

再有，本发明的第五目的在于，提供通过将驱动部等配置在大气侧从而降低真空内的粉尘或气体的发生，且生产性高的有机EL器件制造装置以及成膜装置。