[发明专利]高阻隔尼龙薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高阻隔尼龙薄膜，包括第一表层、芯层、第二表层，其特征在于：

在所述第一表层中：MXD6质量百分比含量为10～30%，PA6质量百分比含量为66～88%，自制母料质量百分比含量为2～4%；

在所述第二表层中：MXD6质量百分比含量为10～30%，PA6质量百分比含量为66～88%，自制母料质量百分比含量为2～4%。

2.根据权利要求1所述的高阻隔尼龙薄膜，其特征在于：

在所述自制母料中，PA6质量百分比含量为88%～95%，开口剂质量百分比含量为2～5%，爽滑剂质量百分比含量为4～8%。

3.根据权利要求2所述的高阻隔尼龙薄膜，其特征在于：所述的开口剂为气相法二氧化硅和沉淀法二氧化硅中的一种或者它们的组合；

所述爽滑剂为聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一种或它们的混合物。

4.根据权利要求1～3任一所述的高阻隔尼龙薄膜，其特征在于：所述第一表层厚度为3-5μm，所述芯层厚度为5-9μm，所述第二表层厚度为3-5μm。

5.根据权利要求4所述的高阻隔尼龙薄膜，其特征在于：在所述芯层中：MXD6质量百分比含量为100%。

6.根据权利要求4所述的高阻隔尼龙薄膜，其特征在于：

在所述第一表层中：MXD6质量百分比含量为20%，PA6质量百分比含量为78%，自制母料质量百分比含量为2%；

在所述第二表层中：MXD6质量百分比含量为20%，PA6质量百分比含量为78%，自制母料质量百分比含量为2%；

在所述芯层中：MXD6质量百分比含量为100%； 

其中，所述第一表层、芯层、第二表层的厚度均为5μm。

7.一种高阻隔尼龙薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将含有质量百分比含量为10～30%的 MXD6，质量百分比含量为66～88%的PA6，质量百分比含量为2～4%的自制母料通过熔融挤出获得第一表层熔体；

将含有质量百分比含量为100%的MXD6通过熔融挤出获得芯层熔体；

将含有质量百分比含量为10～30% 的MXD6，质量百分比含量为66～88%的PA6，质量百分比含量为2～4%的自制母料通过熔融挤出获得第二表层熔体；

对所述第一表层熔体、芯层熔体和第二表层熔体进行共挤出；

对共挤出获得的铸片进行纵向拉伸和横向拉伸形成由第一表层、芯层和第二表层构成的三层结构薄膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：在所述自制母料中，PA6质量百分比含量为88%～95%，开口剂质量百分比含量为2～5%，爽滑剂质量百分比含量为3～7%。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述的开口剂为气相法二氧化硅、沉淀法二氧化硅中的一种或者它们的组合；

所述爽滑剂为聚硅氧烷和改性聚硅氧烷中的一种或它们的混合物。

10.根据权利要求7～9任一所述的方法，其特征在于：所述第一表层厚度为3-5μm，所述芯层厚度为5-9μm，所述第二表层厚度为3-5μm。

11.根据权利要求7～9任一所述的方法，其特征在于：在进行所述纵向拉伸时，采用的是两点拉伸及其拉伸倍率为2-4倍。

12.根据权利要求7～9任一所述的方法，其特征在于：

在所述第一表层中：MXD6质量百分比含量为20%，PA6质量百分比含量为78%，自制母料质量百分比含量为2%；

在所述第二表层中：MXD6质量百分比含量为20%，PA6质量百分比含量为78%，自制母料质量百分比含量为2%；

在所述芯层中：MXD6质量百分比含量为100% 

其中，所述第一表层、芯层、第二表层的厚度均为5μm。

13.根据权利要求7～9任一所述的方法，其特征在于：还包括收卷步骤，在所述收卷步骤中对所述第一表层和第二表层中的至少一者进行电晕处理。