[发明专利]H型阵列离子阱及在其中进行离子-离子反应的方法有效
| 申请号： | 201210250694.5 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102760635A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 唐飞;陈一;王晓浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01J49/26 | 分类号： | H01J49/26 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 离子 其中 进行 反应 方法 | ||
1.一种H型阵列离子阱，包括左离子阱、右离子阱和中心离子阱，所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱分别由X平行电极对、Y平行电极对和Z平行电极对构成矩形离子阱，其特征在于：所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱构成H型阵列；所述左离子阱和所述右离子阱平行设置，所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对；所述中心离子阱设置在所述左离子阱和所述右离子阱之间，所述中心离子阱的Z平行电极对分别和所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对。
2.如权利要求1所述的H型阵列离子阱，其特征在于：所述X平行电极对由两块中间有开口的平行设置的金属板组成，所述Y平行电极对由两块中间有开口或者没有开口的平行设置的金属板组成，所述Z平行电极对由两块中心开有小孔的平行设置的金属板组成。
3.如权利要求1或2所述的H型阵列离子阱，其特征在于：所述中心离子阱的Z平行电极对的小孔分别对准所述左离子阱和所述右离子阱的X平行电极对的开口处。
4.如权利要求1或2所述的H型阵列离子阱，其特征在于：所述中心离子阱的X平行电极对与所述左离子阱和所述右离子阱的Y平行电极对平行。
5.如权利要求1或2所述的H型阵列离子阱，其特征在于：所述X平行电极对和所述Y平行电极对的两块金属板间的距离小于所述Z平行电极对的两块金属板间的距离。
6.一种在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法，包括：
将待反应离子分别注入左离子阱和右离子阱；
将注入的所述待反应离子分别束缚在所述左离子阱和所述右离子阱中；
将所述待反应离子中比目标离子质荷比大的待反应离子从所述左离子阱和所述右离子阱中扫描出阱；
将所述待反应离子中比所述目标离子质荷比小的待反应离子从所述左离子阱和所述右离子阱中扫描出阱；
将所述左离子阱和所述右离子阱中的所述目标离子注入中心离子阱；
所述目标离子在所述中心离子阱中进行离子-离子反应。
7.如权利要求6所述的在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法，其特征在于：所述H型阵列离子阱包括左离子阱、右离子阱和中心离子阱，所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱分别由X平行电极对、Y平行电极对和Z平行电极对构成矩形离子阱，所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱构成H型阵列；所述左离子阱和所述右离子阱平行设置，所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对；所述中心离子阱设置在所述左离子阱和所述右离子阱之间，所述中心离子阱的Z平行电极对分别和所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对。
8.如权利要求7所述的在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法，其特征在于：所述X平行电极对由两块中间有开口的平行设置的金属板组成，所述Y平行电极对由两块中间有开口或者没有开口的平行设置的金属板组成，所述Z平行电极对由两块中心开有小孔的平行设置的金属板组成；所述X平行电极对和所述Y平行电极对的两块金属板间的距离小于所述Z平行电极对的两块金属板间的距离。
9.如权利要求6-8任一所述的在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法，其特征在于：所述中心离子阱的Z平行电极对的小孔分别对准所述左离子阱和所述右离子阱的X平行电极对的开口处。
10.如权利要求6-8任一所述的在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法，其特征在于：所述中心离子阱的X平行电极对与所述左离子阱和所述右离子阱的Y平行电极对平行。
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