[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一个p型掺杂层；

一个n型掺杂层；以及

一个内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，由此电性耦合所述p型掺杂层与所述n型掺杂层；

其中，该内部电性连接层包含四族元素与氮元素，且该四族元素与该氮元素的原子数占所述内部电性连接层总原子数百分比的50%以上。

2.一种半导体装置，包含：

一个p型掺杂层；

一个n型掺杂层；以及

一个内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，由此电性耦合所述p型掺杂层与所述n型掺杂层；

其中，该内部电性连接层包含碳元素，且该碳元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。

3.一种半导体装置，包含：

一个p型掺杂层；

一个n型掺杂层；以及

一个低温内部电性连接层，位于该p型掺杂层与该n型掺杂层之间，由此电性耦合所述p型掺杂层与所述n型掺杂层；

其中，该低温内部电性连接层的形成温度小于所述p型掺杂层的形成温度及所述n型掺杂层的形成温度。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述p型掺杂层与所述n型掺杂层反向导通时的反向电压降小于或等于1伏特。

5.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层还包含碳元素，该碳元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述p型掺杂层还包含碳元素，该碳元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述n型掺杂层还包含碳元素，该碳元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层还包含镁元素，该镁元素的掺杂浓度大于10¹⁷原子/立方厘米。

9.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层不包含三族元素。

10.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层的厚度小于或等于100纳米。

11.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述p型掺杂层的p掺杂浓度范围为10¹⁸-10²¹原子/立方厘米。

12.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述n型掺杂层的n掺杂浓度范围为10¹⁸-10²¹原子/立方厘米。

13.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述半导体装置包含两个或两个以上半导体组件，所述p型掺杂层位于其中一个该半导体组件，所述n型掺杂层位于另一个所述半导体组件，所述内部电性连接层位于所述两个半导体组件之间，由此电性耦合所述两个半导体组件，且所述p型掺杂层与所述n型掺杂层包含三族元素的氮化物。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体组件为发光二极管、光检测器、太阳能电池、晶体管、二极管或激光二极管。

15.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层为非连续层。

16.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层为非单晶结构。

17.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体装置，其中所述内部电性连接层为缺陷诱导内部电性连接层。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述缺陷诱导内部电性连接层提供一个第一缺陷密度，所述缺陷诱导内部电性连接层的成长面具有一个第二缺陷密度，该第一缺陷密度为该第二缺陷密度的5倍以上，且所述缺陷诱导内部电性连接层的厚度小于或等于100纳米。