[发明专利]一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210251569.6 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN102779533A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 陆伟;陈哲;何晨冲;严彪 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;H01F10/12;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 相变 温度 可调 ferhpt 复合 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜,包括单晶MgO(001)基板以及其上的(FeRh)100-XPtX合金薄膜,并且x的取值范围为0<x<20。

2.如权利要求1所述的FeRhPt复合薄膜,其特征在于,所述(FeRh)100-XPtX合金薄膜厚度为5~100nm。

3.权利要求1或2所述的FeRhPt复合薄膜的制备方法,步骤为:

1)薄膜的沉积:通过沉积法在单晶(001)MgO基板上沉积(FeRh)100-XPtX合金薄膜,其中x的取值范围为0<x<20;

2)退火处理:基板自然冷却后,在真空中对沉积获得的薄膜进行退火处理得到FeRhPt复合薄膜。

4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤1)所述沉积法为物理气相沉积法。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)所述沉积法为磁控溅射沉积法。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射沉积法的条件为:溅射时基板温度100~500℃;溅射腔的背底真空度0.7×10-5~5×10-5Pa,溅射时氩气气压1~20Pa。

7.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,磁控溅射沉积法溅射过程中基板以5转/分钟~30转/分钟的速率旋转。

8.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述退火处理的条件为:真空度1×10-5~10×10-5Pa,退火温度400~700℃,退火时间0.5~4小时。

9.权利要求1或2任一权利要求所述的FeRhPt复合薄膜作为磁记录介质的应用。

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