[发明专利]一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201210251569.6 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN102779533A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 陆伟;陈哲;何晨冲;严彪 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;H01F10/12;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 许亦琳;余明伟 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相变 温度 可调 ferhpt 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜,包括单晶MgO(001)基板以及其上的(FeRh)100-XPtX合金薄膜,并且x的取值范围为0<x<20。
2.如权利要求1所述的FeRhPt复合薄膜,其特征在于,所述(FeRh)100-XPtX合金薄膜厚度为5~100nm。
3.权利要求1或2所述的FeRhPt复合薄膜的制备方法,步骤为:
1)薄膜的沉积:通过沉积法在单晶(001)MgO基板上沉积(FeRh)100-XPtX合金薄膜,其中x的取值范围为0<x<20;
2)退火处理:基板自然冷却后,在真空中对沉积获得的薄膜进行退火处理得到FeRhPt复合薄膜。
4.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤1)所述沉积法为物理气相沉积法。
5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤1)所述沉积法为磁控溅射沉积法。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射沉积法的条件为:溅射时基板温度100~500℃;溅射腔的背底真空度0.7×10-5~5×10-5Pa,溅射时氩气气压1~20Pa。
7.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,磁控溅射沉积法溅射过程中基板以5转/分钟~30转/分钟的速率旋转。
8.如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤2)所述退火处理的条件为:真空度1×10-5~10×10-5Pa,退火温度400~700℃,退火时间0.5~4小时。
9.权利要求1或2任一权利要求所述的FeRhPt复合薄膜作为磁记录介质的应用。
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