[发明专利]硅片的键合方法

权利要求书

1.一种硅片的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一用于和硅片进行键合的载片，并对所述载片进行清洗；

步骤二、在所述载片表面上进行键合胶水旋涂；

步骤三、将位于所述载片的外周边缘向内收缩一段距离的环形区域上的所述键合胶水去除，去除外周部分后的所述键合胶水的外周边缘所围区域小于所述硅片的外周边缘所围区域；

步骤四、去除所述键合胶水的外周部分后，通过所述键合胶水将所述硅片和所述载片进行键合，键合后要求保证所述键合胶水都位于所述硅片所覆盖区域的内侧。

2.如权利要求1所述的硅片的键合方法，其特征在于，还包括步骤：

步骤五、在步骤四的键合之前、或者之后，对所述硅片进行研磨减薄；该研磨减薄使所述硅片形成由基片区域和围绕在所述基片区域外周的支撑环组成的结构，所述支撑环的厚度大于所述基片区域的厚度并用于对所述基片区域进行支撑，所述基片区域用于形成半导体器件；

步骤六、所述硅片和所述载片键合后、且所述硅片进行了研磨减薄后，在所述硅片的所述基片区域进行半导体器件的工艺加工，之后，对所述键合胶水进行解离使所述硅片和所述载片分开。

3.如权利要求2所述的硅片的键合方法，其特征在于：去除外周部分后的所述键合胶水的外周边缘位于所述硅片的支撑环内侧。

4.如权利要求1或2或3所述的硅片的键合方法，其特征在于：步骤三中被去除所述键合胶水的环形区域的宽度为3毫米～5毫米。

5.如权利要求2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述支撑环的厚度比所述基片区域的厚度大250微米。

6.如权利要求2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述支撑环的厚度大于400微米。

7.如权利要求1或2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述载片的材料为玻璃，硅，蓝宝石。

8.如权利要求1或2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述载片的直径比所述硅片的直径大0.1毫米～0.3毫米，或者所述载片的直径比所述硅片的直径大0.5毫米～5毫米。

9.如权利要求1或2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述载片的厚度为350微米～650微米。

10.如权利要求1或2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述键合胶水能够通过热分解解离，所述键合胶水的耐热温度大于250℃；所述键合胶水能够通过激光照射解离，所述键合胶水的耐热温度小于220℃。

11.如权利要求1或2所述的硅片的键合方法，其特征在于：所述键合胶水的厚度为10微米～80微米。