[发明专利]驱动IGBT的方法无效
| 申请号： | 201210252025.1 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891669A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李京昊;朴海容;房承炫;沈政煜;崔源寯;金敃志 | 申请（专利权）人： | LS产电株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;宋少华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 igbt 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种驱动绝缘栅双极晶体管的方法，其被配置为减小在绝缘栅双极晶体管驱动集成电路的关断过程中施加在绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压，所述方法包括：减小绝缘栅双极晶体管的栅极-发射极电压的斜率以减小绝缘栅双极晶体管两端的瞬态电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，减小绝缘栅双极晶体管的栅极-发射极电压的斜率的步骤是通过改变绝缘栅双极晶体管驱动集成电路的内部电阻来执行的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管驱动集成电路的内部电阻被改变为大致25kΩ。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，减小绝缘栅双极晶体管的栅极-发射极电压的斜率的步骤是通过延长绝缘栅双极晶体管的阈值电压的保持时间来执行的。
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