[发明专利]确定固态存储介质配置参数的装置、系统和方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本专利申请要求授予John Strasser等人的提交于2011年1月27日的名称为“APPARATUS，SYSTEM，AND METHOD FOR DETERMINING A READ VOLTAGE THRESHOLD”(确定读取电压阈值的装置、系统和方法)的美国专利申请No.13/015,458和授予Roberr Wood等人的提交于2011年7月1日的名称为“APPARATUS，SYSTEM，AND METHOD FOR USING MULTI-LEVEL CELL STORAGE IN A SINGLE-LEVEL CELL MODE”(在单级单元模式中使用多级单元存储的装置、系统和方法)的美国专利申请No.13/175,637的优先权，该两篇专利以引用的方式并入本文。美国专利申请No.13/015,458要求授予John Strasser等人的提交于2010年1月27日的名称为“APPARATUS，SYSTEM，AND METHOD FOR DETERMINING A READ VOLTAGE THRESHOLD FOR SOLID-STATE STORAGE MEDIA”(确定固态存储介质读取电压阈值的装置、系统和方法)的美国临时专利申请No.61/298,861和授予John Strasser等人的提交于2010年2月17日的名称为“APPARATUS，SYSTEM，AND METHOD FOR DETERMINING A READ VOLTAGE THRESHOLD FOR SOLID-STATE STORAGE MEDIA”(确定固态存储介质读取电压阈值的装置、系统和方法)的美国临时专利申请No.61/305,205的优先权。

技术领域

本文所公开的主题涉及固态存储介质，更具体地讲涉及固态存储介质的配置参数。

背景技术

相关领域的说明

多个固态存储设备区分不同的二进制值，存储单元存储数值可基于存储单元的读取电压电平、基于存储单元的电阻率或基于存储单元的另一个配置参数。固态存储设备可使用一个或多个读取电压阈值、电阻率阈值等以间隔开可存储在存储单元中的离散值。

然而存储单元的阈值或其他配置参数会随时间的推移而变化。例如，存储单元损坏、存储单元泄漏、温度和其他对存储单元的干扰会改变存储单元的阈值，使得不同的配置参数对存储单元来说会更佳。泄漏率和其他干扰也会随着存储单元的超时使用出现老化而增大。如果存储单元的读取电压电平或其他配置参数改变至超过存储单元的阈值，则会发生数据错误，这是由于从存储单元读取的数据值不同于写入存储单元的数据值。

发明内容

从上述讨论中，显而易见的是存在对提高固态存储介质实用性的装置、系统和方法的需求。有利的是，通过确定固态存储介质的一个或多个配置参数以最优化该配置参数，此类装置、系统和方法能够提高固态存储介质的实用性。

本发明为应对当前技术水平且尤其是为应对本领域中现有固态存储设备尚未完全解决的问题和需求而开发。因此，开发本发明的目的是提供能提高固态存储介质的实用性以克服在本领域中多个或全部上述不足的装置、系统和方法。

本发明提出一种提高固态存储介质实用性的方法。在一个实施例中，该方法包括为固态存储介质的一组存储单元引用一个或多个存储介质特性。在另一个实施例中，该方法包括基于一个或多个存储介质特性，为一组存储单元确定配置参数。在另一个实施例中，该方法包括用确定的配置参数配置该组存储单元。

在一个实施例中，该方法包括为响应更新事件而更新该组存储单元的一个或多个存储介质特性。在另一个实施例中，该更新事件包括对包含该组存储单元的固态存储介质的后台扫描。在另一个实施例中，该更新事件包括对该组存储单元的读取请求。在另外的一个实施例中，该更新事件可包括对该组存储单元的相邻存储单元的读取请求。在另一个实施例中，该更新事件包括对具有该组存储单元的设备的启动操作。在另一个实施例中，该更新事件包括对具有该组存储单元的设备的关机操作。在另一个实施例中，该更新事件包括对该组存储单元的垃圾收集操作。