[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201210252646.X | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103309099A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 黄晶雨;郑演守 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器阵列基板,所述液晶显示器阵列基板包括:
栅线,所述栅线沿一个方向布置在基板上;
数据线,所述数据线与所述栅线交叉,并与所述栅线一起限定多个像素区域;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述栅线与所述数据线的交叉处;
像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;以及
公共电极,所述公共电极设置为与所述像素电极相对,并且与所述像素电极一起形成电场,所述公共电极包括与所述数据线重叠的屏蔽线,所述屏蔽线包括至少两个切割部,所述至少两个切割部具有的宽度小于所述屏蔽线的其它部分的宽度。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板,其中所述公共电极和所述屏蔽线形成为一整体。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽线的宽度大于所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽线的每个切割部的宽度小于所述数据线的宽度。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽线的至少两个切割部形成在一个像素区域中。
6.一种液晶显示器阵列基板,所述液晶显示器阵列基板包括:
栅线,所述栅线沿一个方向布置在基板上;
数据线,所述数据线与所述栅线交叉,并与所述栅线一起限定多个像素区域;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述栅线与所述数据线的交叉处;
像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;以及
公共电极,所述公共电极设置为与所述像素电极相对,并与所述像素电极一起形成电场,所述公共电极包括与所述数据线重叠的屏蔽图案,所述屏蔽图案通过穿过钝化层的至少两个接触孔与所述数据线连接。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽图案的两侧被切割,并且所述屏蔽图案的两侧与所述公共电极隔开。
8.根据权利要求6所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽图案设置在所述钝化层上,并且所述钝化层设置在所述数据线上。
9.根据权利要求6所述的液晶显示器阵列基板,其中所述屏蔽图案通过填充在所述至少两个接触孔中的接触图案与所述数据线连接。
10.一种液晶显示器阵列基板,所述液晶显示器阵列基板包括:
栅线,所述栅线沿一个方向布置在基板上;
数据线,所述数据线与所述栅线交叉,并与所述栅线一起限定多个像素区域;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述栅线与所述数据线的交叉处;
像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管连接;
公共电极,所述公共电极设置为与所述像素电极相对,并与所述像素电极一起形成电场,所述公共电极包括与所述数据线重叠的屏蔽线,所述屏蔽线包括至少两个切割部,所述至少两个切割部具有的宽度小于所述屏蔽线其它部分的宽度;以及
黑矩阵,所述黑矩阵形成在滤色器阵列基板上,在与所述切割部相邻的区域中,所述黑矩阵覆盖信号线以及包括所述数据线、所述薄膜晶体管和所述栅线的元件区域,所述黑矩阵具有暴露所述像素电极的形状,所述黑矩阵形成为进一步突出到与所述切割部相邻的区域中。
11.一种制造液晶显示器阵列基板的方法,所述方法包括以下步骤:
沿一个方向在基板上形成栅线;
形成与所述栅线交叉的数据线,所述数据线与所述栅线一起限定多个像素区域;
在所述栅线与所述数据线的交叉处形成薄膜晶体管;
形成与所述薄膜晶体管连接的像素电极;
在所述像素电极上形成钝化层;
在所述钝化层上形成公共电极,所述公共电极包括屏蔽线,所述屏蔽线与所述数据线重叠,并且包括具有窄宽度的至少两个切割部;
将激光照射到设置在与所述数据线的开路部分重叠的屏蔽线的两侧的切割部上,并且断开所述屏蔽线,以形成屏蔽图案;
蚀刻所述屏蔽图案的两侧,以形成暴露所述数据线的接触孔;以及
使用激光CVD修复装置来形成用于填充所述接触孔的接触图案。
12.根据权利要求11所述的方法,其中断开所述屏蔽线是使用深UV激光。
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