[发明专利]等离子体处理方法及等离子体灰化装置无效
| 申请号： | 201210252672.2 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102891061A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 工藤丰;桧山真 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 灰化 装置 | ||
1.等离子体处理方法，其是对具有Low-k膜的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，具有：采用包含烃类气体与稀有气体的混合气体,在等离子体蚀刻工序中对经等离子体蚀刻的上述试样进行等离子体灰化的工序。
2.按照权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，上述烃类气体为甲烷气，上述稀有气体为氩气。
3.等离子体处理方法，其是采用等离子体灰化装置的等离子体处理方法，其特征在于，试样具有Low-k膜，对经等离子体蚀刻的上述试样采用包含烃类气体与稀有气体的混合气体进行等离子体灰化;
所述等离子体灰化装置具有:真空处理室，该真空处理室包含电介质内筒、处于该内筒上方的气体导入部、以及处于该内筒下方的处理容器；于该内筒外周卷绕的感应线圈；供给该感应线圈高频电力的高频电源；以及,设置于上述真空处理室内的放置试样的试样台;对上述试样进行等离子体灰化。
4.按照权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，上述烃类气体为甲烷气，上述稀有气体为氩气。
5.按照权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，上述烃类气体为甲烷气，上述稀有气体为氩气，烃类气体与氩气体的混合气的气体流量比为1:100以上。
6.按照权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，上述烃类气体为甲烷气，上述稀有气体为氩气，供给上述感应线圈的高频电力为1000W以上。
7.按照权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，上述烃类气体为甲烷气，上述稀有气体为氩气，向上述感应线圈供给1000W以上的高频电力，上述试样台将温度调整为250℃以上。
8.等离子体处理方法，其是对具有Low-k膜的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法体,其特征在于，具有：采用包含烃类气体与稀有气体与氢气的混合气体，在等离子体蚀刻工序中对经等离子体蚀刻的上述试样进行等离子体灰化的工序。
9.等离子体灰化装置，具有：真空处理室，该真空处理室包含电介质内筒、处于该内筒上方的气体导入部、以及处于该内筒下方的处理容器；于该内筒外周卷绕的感应线圈；供给该感应线圈高频电力的高频电源；以及,设置于上述真空处理室内的放置具有Low-k膜的试样的试样台;在对上述具有Low-k膜的试样进行等离子体灰化的等离子体灰化装置中，其特征在于，具有：将经等离子体蚀刻的上述具有Low-k膜的试样放置于上述试样台上的装置；以及,向上述试样台上放置的具有上述Low-k膜的试样供给包含烃类气体与稀有气体的混合气体的装置。
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