[发明专利]垂直式发光二极管晶粒及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210252683.0 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN103165806A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 朱俊宜;朱振甫;郑兆祯 申请(专利权)人: 旭明光电股份有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 垂直 发光二极管 晶粒 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及光电组件的技术,尤其涉及一种垂直式发光二极管(VLED)晶粒及其制作方法。

背景技术

在以发光二极管(LED)为例的光电系统中,其可包含一或多个装设于基板上的发光二极管晶粒。发光二极管晶粒具有多种类型,其一为垂直式发光二极管(VLED)晶粒,包含以复合物半导体材料组成的多层半导体基板,例如氮化镓(GaN)。该半导体基板可包含具有p型掺杂物的p型局限层、具有n型掺杂物的n型局限层、以及一用以发光的多重量子井(MQW)层位于该等局限层之间。

本发明主要针对一种垂直式发光二极管晶粒及制作该垂直式发光二极管晶粒的方法。该垂直式发光二极管晶粒可用以构成具有极佳热及电特性的发光二极管。

发明内容

根据本发明的一方面,一实施例提供一种垂直式发光二极管(VLED)晶粒,其包含:一第一金属,具有一第一表面及一相对侧的第二表面;一第二金属,位于该第一金属的该第二表面之上;以及一位于该第一金属之上的磊晶堆栈。该第一金属及该第二金属形成一阶梯状结构,用以保护该磊晶堆栈。该磊晶堆栈包含一第一型半导体层,位于该第一金属的该第一表面之上;一用以发光的多重量子井(MQW)层,位于该第一型半导体层之上;及一第二型半导体层,位于该多重量子井(MQW)层之上。其中,该第一型半导体层可包含一p型半导体层,例如p型氮化镓(p-GaN),且该第二型半导体层可包含一n型半导体层,例如n型氮化镓(n-GaN)。

根据本发明的另一方面,另一实施例提供一种发光二极管结构的制作方法,其包含以下步骤:提供一承载基板;形成一磊晶堆栈于该承载基板上;形成复数个第一凹槽,其形成十字形的图案且贯穿该磊晶堆栈及该承载基板,以定义出该承载基板之上的复数个晶粒;形成一种子层于该磊晶堆栈之上及该等凹槽之内;形成一反射层于该种子层之上;形成一具有第一面积的第一金属于该种子层之上;形成一具有第二面积的第二金属于该第一金属之上,且该第二面积小于该第一面积;移除该承载基板;形成复数个第二凹槽,其贯穿该磊晶堆栈而至该种子层;以及将该等晶粒分开成复数个垂直式发光二极管(VLED)晶粒。

本发明采用上述技术方案,具有以下优点:

该垂直式发光二极管晶粒可用以构成具有极佳热及电特性的发光二极管。

附图说明

图1A为根据本发明实施例的垂直式发光二极管晶粒的结构剖面图;

图1B为根据本发明实施例的垂直式发光二极管晶粒的上视平面图;

图1C为根据本发明实施例的垂直式发光二极管晶粒的下视平面图;

图2为包含复数个垂直式发光二极管晶粒的发光二极管系统的剖面视图;

图3A至图3K为制作该垂直式发光二极管晶粒的方法的步骤示意图。

附图标记说明:10-垂直式发光二极管晶粒;12-第一金属;14-第二金属;16-p型半导体层;18-多重量子井层;20-n型半导体层;22-种子层;24-反射层;30/52-磊晶堆栈;34-发光二极管;36-基板;38-导线;40-保护层;42-n电极;44-p电极;46-腔体;48-背侧;50-承载基板;52A-多层磊晶结构;54-n型层;56-量子井层;58-p型层;60-晶粒;62/80-凹槽;66-反射层;72-种子层;74-第一金属层;76-第二金属层;78-硬式屏蔽。

具体实施方式

在各个实施例的说明中,当一元素被描述是在另一元素的“上方/上”或“下方/下”,指“直接地”或“间接地”在该另一元素之上或之下的情况,其可包含设置于其间的其它元素。“上方/上”或“下方/下”等的描述以图式为基准进行说明,但亦包含其它可能的方向转变。在所有的说明书及图示中,将采用相同的组件编号以指定相同或类似的组件。为了说明上的便利和明确,图式中各元素的厚度或尺寸,以夸张或省略或概略的方式表示,且各元素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。

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