[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1. 一种光电转换装置，包括：

结晶硅衬底；

所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层；

所述第一硅半导体层上的透光半导体层；

部分性地形成在所述透光半导体层上的第二硅半导体层；以及

形成在所述第二硅半导体层上的第一电极，

其中，所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。

2. 根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

形成在所述结晶硅衬底的另一个表面上的第三硅半导体层；

形成在所述第三硅半导体层上的第四硅半导体层；以及

形成在所述第四硅半导体层上的第二电极。

3. 根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括在所述透光半导体层、所述第二硅半导体层及所述第一电极上的透光导电膜。

4. 根据权利要求2所述的光电转换装置，还包括在所述第四硅半导体层与所述第二电极之间的透光导电膜。

5. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述无机化合物选自过渡金属氧化物。

6. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述无机化合物选自元素周期表中的第4族至第8族的金属的金属氧化物。

7. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述无机化合物为氧化钼。

8. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中以所述无机化合物和所述有机化合物之间发生电荷移动的方式选择所述无机化合物和所述有机化合物。

9. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底的一个表面具有多个凸起。

10. 根据权利要求9所述的光电转换装置，其中所述相邻凸起之间的距离小于或等于1μm。

11. 一种光电转换装置，包括：

结晶硅衬底；

部分性地形成在所述结晶硅衬底的一个表面上的第一硅半导体层；

形成在所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层；

形成在所述第二硅半导体层上的第一电极；以及

覆盖所述结晶硅衬底、所述第一硅半导体层、所述第二硅半导体层及所述第一电极的透光半导体层，

其中，所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。

12. 根据权利要求11所述的光电转换装置，还包括：

形成在所述结晶硅衬底的另一个表面上的第三硅半导体层；

形成在所述第三硅半导体层上的第四硅半导体层；以及

形成在所述第四硅半导体层上的第二电极。

13. 根据权利要求11所述的光电转换装置，其中所述无机化合物选自过渡金属氧化物。

14. 根据权利要求11所述的光电转换装置，其中所述无机化合物选自元素周期表中的第4族至第8族的金属的金属氧化物。

15. 根据权利要求11所述的光电转换装置，其中所述无机化合物为氧化钼。

16. 根据权利要求11所述的光电转换装置，其中以所述无机化合物和所述有机化合物之间发生电荷移动的方式选择所述无机化合物和所述有机化合物。

17. 根据权利要求11所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底的一个表面具有多个凸起。

18. 根据权利要求17所述的光电转换装置，其中所述相邻凸起之间的距离小于或等于1μm。

19. 一种光电转换装置，包括：

结晶硅衬底；

形成在所述结晶硅衬底的一个表面上第一硅半导体层；

部分性地形成在所述第一硅半导体层上的第二硅半导体层；

形成在所述第二硅半导体层上的第一电极；以及

覆盖所述结晶硅衬底、所述第一硅半导体层、所述第二硅半导体层及所述第一电极的透光半导体层，

其中，所述透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。

20. 根据权利要求19所述的光电转换装置，还包括：

形成在所述结晶硅衬底的另一个表面上的第三硅半导体层；

形成在所述第三硅半导体层上的第四硅半导体层；以及

形成在所述第四硅半导体层上的第二电极。