[发明专利]一种降低Si表面粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201210254007.7 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751184A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 si 表面 粗糙 方法 | ||
1.一种降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
1）提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，其中，0<x<1；
2）采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。
2.根据权利要求1所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述SixGe1-x层为弛豫的SixGe1-x层。
3.根据权利要求1所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述Si层为应变的Si层。
4.根据权利要求1所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述NH4OH:H2O2:H2O溶液的质量比为1∶5~6∶10~12。
5.根据权利要求1所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤2）中，对所述Si层粗糙表面进行处理的时间为5~60min。
6.根据权利要求5所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤2）中，对所述Si层粗糙表面进行处理的时间为10~30min。
7.根据权利要求1所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤2）中，对所述Si层粗糙表面进行处理的温度为40~100℃。
8.根据权利要求7所述的降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于：所述步骤2）中，对所述Si层粗糙表面进行处理的温度为50~80℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
