[发明专利]晶粒取放方法、晶粒取放的承载结构、及晶粒取放装置无效
申请号: | 201210254912.2 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103579069A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 张正光;赖灿雄 | 申请(专利权)人: | 久元电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 方法 承载 结构 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶粒取放方法、晶粒取放的承载结构、及晶粒取放装置,尤其是指一种用于发光二极管后段工艺的晶粒取放方法、晶粒取放的承载结构、及晶粒取放装置。
背景技术
在发光二极管工艺中,每一片晶片上有多个被定义的区域,这些区域经过切割后即成为多个晶粒(chip)。在晶片工艺之后,晶片会被黏贴到胶膜上,并切割成多个晶粒,于晶粒切割之前或切割之后,这些晶粒需要经过一连串的检测。由测试设备测试每个晶粒的光电特性,然后再经由分类机台(sorter)将所述多个晶粒依其光电特性分选到等级不同的分选架上。所述多个分选架上贴附着用以黏贴晶粒的胶膜,以避免晶粒因滚动而移位或受损。在分选完成之后,将装有晶粒的胶膜自分选架取下,以进行后续封装的工艺。
请参考图1所示,将所述多个晶粒1依照等级摆放至所对应等级的胶膜2上,胶膜2为伸展开来并固夹于框架3之中,分类完之后所要进行的晶粒1封装作业,需要将晶粒1由胶膜2上取出,因此需要进行胶膜2的扩张,以利后续将晶粒1由胶膜2上取出。因胶膜2的扩张是通过扩张机台以圆形的扩张方式,使得晶粒1呈现圆形方式往外扩散,如图2A所示为晶粒扩张之前,如图2B所示为晶粒扩张之后,所以扩张过程中需避免晶粒1碰触到扩张环4,因此需要限制晶粒1的摆放范围。
现行的摆放方式皆为矩形的摆放方式,因此对角线长度为晶粒1摆放的最长距离,所以需要限制对角线长度来避免扩张时发生晶粒1碰触到扩张环4的问题。因此所能摆放的晶粒1数量有限,亦即需要耗费较多的胶膜2及浪费较多更换胶膜2的时间,故改变摆放方式以提升摆放晶粒1的数量可为改良的重点。
发明内容
本发明的目的在于提供晶粒取放方法、晶粒取放的承载结构、及晶粒取放装置,以改善晶粒的摆放方式,提升胶膜上摆放晶粒的数量。
本发明提供一种晶粒取放方法,其包括以下步骤:提供一已完成切割的晶片,晶片具有多个晶粒。将多个晶粒进行等级的分类,并且提供多个承载结构。利用一移动载具将已完成等级的分类的晶粒分别放置于所对应的承载结构上,并且每一个承载结构上的多个晶粒的范围呈类圆形的排列方式进行设置。
其中,上述所述多个晶粒的范围呈类圆形的排列方式是通过一电脑系统仿真所述多个晶粒的范围呈类圆形排列的软件进行设定,再通过该电脑系统控制该移动载具以进行设置所述多个晶粒。
其中,所述多个承载结构为胶膜、蓝膜及紫外光膜之中的其中一种。
其中,该方法还包括于该承载结构上覆盖一保护层,该保护层为离型纸、离型膜及高分子膜之中的其中一种。
其中,上述将所述多个晶粒分别放置于所对应的承载结构上之后还包括以下步骤:
进行扩张所述多个承载结构;以及
将所述多个晶粒分别挑捡到多个封装结构中。
本发明亦提供一种晶粒取放的承载结构,其包括多个晶粒及一承载结构,所述多个晶粒黏附于承载结构上,且所述多个晶粒于承载结构上的范围呈类圆形的排列方式。
其中,该承载结构为胶膜、蓝膜及紫外光膜之中的其中一种。
其中,该承载结构还包括一覆盖于该承载结构上的保护层,该保护层为离型纸、离型膜及高分子膜之中的其中一种。
本发明再提供一种晶粒取放装置,其包括一第一平台、一电脑系统、一移动载具及至少一第二平台。第一平台上放置多个已完成等级的分类的晶粒,电脑系统电性连接第一平台,且电脑系统控制移动载具,通过移动载具将所述多个晶粒依照等级分选至第二平台的承载结构上,所述多个晶粒于承载结构上的范围是呈类圆形的排列方式。
其中,该电脑系统具有仿真所述多个晶粒的范围呈类圆形的排列方式的软件。
综上所述,本发明由于改变晶粒的摆放方式,改为晶粒的范围呈类圆形的排列方式,类圆形排列晶粒的数量比矩形排列晶粒的数量可增加50%以上。由于增加单张胶膜上面的晶粒数量,因此可使得单张胶膜售价提高,若整批晶粒数量较多时,因胶膜上晶粒数量增加,可减少胶膜使用数量,进而减少包装空间,也因胶膜减少重量亦相对降低,可节省运送费用。并且可减少更换胶膜的次数,对于增加机台稼动率有相当的帮助。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为现有技术的晶粒摆放的示意图。
图2A为现有技术的晶粒扩张前的示意图。
图2B为现有技术的晶粒扩张后的示意图。
图3为本发明的晶粒取放方法的流程图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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