[发明专利]一种合成钾硅储氢合金的方法有效

专利信息
申请号: 201210255042.0 申请日: 2012-07-23
公开(公告)号: CN102765723A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 孙大林;方方;李永涛 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06;C01B3/02
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 合成 钾硅储氢 合金 方法
【权利要求书】:

1.一种合成钾硅储氢合金的方法,其特征是在具有自回流结构的反应器中进行合金化反应,反应器由大反应腔(1)、小反应腔(2)、粉末过滤片(3)、铜密封圈(4)、反应腔盖(5)和气体进出口(6)组成,大反应腔(1)由筒体和端盖连接组成,小反应腔(2)插入大反应腔(1)的筒体内,大反应腔(1)的端盖中部设有圆环形的凹槽,粉末过滤片(3)和铜密封圈(4)依次放于所述圆环形的凹槽内,反应腔盖(5)固定于大反应腔(1)的端盖上,铜密封圈(4)的中部设有圆孔,反应腔盖(5)的中部设有气体进出口(6),铜密封圈(4)上的圆孔与气体进出口(6)上相通;将金属钾和硅粉混合均匀后放入小反应腔(2)内,在高压惰性气体环境下经过合金化过程,形成钾硅合金;其中:

所述金属钾和硅粉的摩尔比为1.01:1-1.05:1;

合金化过程分为高温合金化反应和低温自提纯反应两步;其中:中,高温合金化反应为在3-6 MPa高压氩气气氛下,将反应器加热至400-600 ℃进行3-5天合金化反应;低温自提纯反应为在0.1 MPa氩气气氛下,将反应器维持在100-200 ℃温度下保持1.5-2.5小时后降温至室温。

2.根据权利要求1所述的合成钾硅储氢合金的方法,其特征是所述惰性气体为氮气、氩气或氦气中任一种。

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