[发明专利]TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造技术领域，具体涉及一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等产品的不断发展，薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的广视角液晶显示器得到越来越广泛的应用。iphone、ipad产品效应，使横向电场广视角液晶显示器成为小尺寸平板显示技术中的明星，各个厂商都在积极的进行产品的研发与制造。

液晶显示器主要包括上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件等几部分，其中：下基板组件主要包括玻璃基板和TFT阵列（ARRAY）板，其中ARRAY板的透过率对液晶显示器的亮度有重要影响，而ARRAY板的透过率主要依赖于ARRAY板的结构和制造方法。传统工艺中，ARRAY板的制造方法包括以下步骤：提供玻璃基板，在玻璃基板上依次形成栅极绝缘层、像素电极以及源漏电极等。

采用上述传统工艺制造的ARRAY板的广视角液晶显示器的透过率比较低。目前，主要通过改变掩膜版的设计图案的方式提高广视角液晶显示器的透过率。但是，改变掩膜版的设计图案来提升透过率的方式，对于加工设备的精度提出了更高的要求，这样生产控制的冗余量会变小，导致良率低下。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种无须改变掩膜版的设计图案即可提高透过率的TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法。

为实现上述目的，本发明的一个实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：

在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；

其中，形成所述保护绝缘层包括：

形成第一薄层氮化硅；

在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；

其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。

优选地，所述方法还包括：在所述保护绝缘层上形成过孔和/或公共电极。

优选地，所述形成第一薄层氮化硅时硅烷气体的流量小于所述形成第二层氮化硅时硅烷气体的流量。

优选地，所述第一薄层氮化硅的厚度为100~200埃，所述第二层氮化硅的厚度为2400~5800埃。

优选地，所述形成第一薄层氮化硅包括：

采用化学气相沉积方法在所述源漏电极之上形成第一薄层氮化硅，其中氨气流量为700~800sccm，硅烷气体流量为40~60sccm，腔室压强为1400~1600Pa，电源功率为600~800W，沉积时间为10~15s。

优选地，所述第二层氮化硅包括第一分层氮化硅、第二分层氮化硅以及第三分层氮化硅，所述在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅，包括：

步骤A：在所述第一薄层氮化硅上形成第一分层氮化硅；

步骤B：在所述第一分层氮化硅之上形成第二分层氮化硅；

步骤C：在所述第二分层氮化硅之上形成第三分层氮化硅；

其中，所述步骤A中的腔室压强小于所述步骤B中的腔室压强，所述步骤B中的腔室压强小于所述步骤C的腔室压强，且执行所述步骤A的时间大于执行所述步骤B的时间，执行所述步骤B的时间大于执行所述步骤C的时间。

优选地，所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述硅烷气体的流量相同，且所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述氨气的流量相同。

优选地，形成所述源漏电极前，还包括：对所述像素电极执行退火操作。

优选地，所述对所述像素电极执行退火操作包括：

将形成所述像素电极后的所述玻璃基板置于退火炉中，在氮气气氛中温度在200~250℃范围内退火30~60mins。

根据本发明实施例，通过在源漏电极上形成一层很薄的第一薄层氮化硅，然后再在该第一薄层氮化硅之上形成较厚的第二层氮化硅，从而提高了ARRAY板的透过率。与现有技术中直接在源漏电极上形成一层较厚的保护绝缘层的方式相比，本发明实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不改变掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。

附图说明