[发明专利]光刻版图、光刻胶图形及测量光刻胶图形曝光误差的方法在审
申请号: | 201210256296.4 | 申请日: | 2012-07-23 |
公开(公告)号: | CN102809895A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 岳力挽;赵新民;周孟兴;王彩虹 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F1/42;G03F7/20;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 版图 图形 测量 曝光 误差 方法 | ||
1.一种光刻版图,其特征在于,包括:
第一单元区图形,所述第一单元区图形为矩形;
位于所述第一单元区图形四个顶角外侧的四个第一标记图形,所述第一标记图形为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区图形顶角的相邻两边平行;
位于所述第一单元区图形的一个顶角和所对应的第一标记图形外侧的第二标记图形,所述第二标记图形为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记图形的两边平行。
2.一种以权利要求1所述光刻版图形成的光刻胶图形,其特征在于,包括:第一单元区,所述第一单元区为矩形;位于所述第一单元区四个顶角外侧的四个第一标记,所述第一标记为“L”形,所述“L”形的两边分别与构成所述第一单元区顶角的相邻两边平行;位于所述第一单元区的一个顶角和所对应的第一标记外侧的第二标记,所述第二标记为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记的两边平行;与所述第一单元区平行设置的若干单元区,所述各单元区均为矩形,且所述若干单元区与第一单元区构成相互平行的单元区阵列;位于各单元区的四个顶角外侧的第一标记,所述第一标记为“L”形,且所述“L”形的两边分别与构成所述单元区顶角的相邻两边平行;位于各单元区的一个顶角和所对应的第一标记外侧的第二标记,所述第二标记为“十”形,构成所述“十”形的两边分别与所对应的第一标记的两边平行,且各单元区顶角外侧的第二标记的位置与第一单元区顶角外侧的第二标记的位置相同。
3.如权利要求2所述光刻胶图形,其特征在于,所述各单元区外侧的第一标记和第二标记的形状以及相对于各单元区的位置,与所述第一单元区外侧的第一标记和第二标记相同。
4.如权利要求2所述光刻胶图形,其特征在于,所述第二标记的宽度为1~3微米。
5.如权利要求2所述光刻胶图形,其特征在于,所述第一标记的宽度为1~3微米。
6.如权利要求5所述光刻胶图形,其特征在于,所述第二标记“十”形两边的中线,到与所述第二标记对应的第一标记的“L”形两边的中线的距离为5~20微米。
7.如权利要求5所述光刻胶图形,其特征在于,所述第一标记的两边到构成所对应的顶角相邻两边的距离为5~20微米。
8.如权利要求2所述光刻胶图形,其特征在于,所述第一标记的宽度为5~20微米。
9.如权利要求8所述光刻胶图形,其特征在于,所述第二标记“十”形两边的中线到与所述第二标记对应的第一标记的“L”形外侧边界的距离为5~20微米。
10.如权利要求8所述光刻胶图形,其特征在于,所述第一标记内侧边界与所对应的顶角相邻两边重叠。
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