[发明专利]一种放射状β-AgVO3纳米线簇及其制备方法

权利要求书

1. 一种放射状β-AgVO₃纳米线簇，其特征在于，β-AgVO₃纳米线簇由多根纳米线团簇在一起，长度10~100微米，直径为200~400纳米，采用下述方法制得，包括有以下步骤：

1）取AgNO₃、V₂O₅粉末和氟源按物质的量比2:1:6溶于去离子水，在搅拌条件下混合，得到前驱体溶液，备用；

2）将基片进行预处理，备用； 

3）将得到的前驱体溶液转移至100 mL反应釜，此时将预处理后的基片以30~60°的角度斜置于反应釜内衬中，在160 ~ 200℃下反应24~ 48小时，将基片从反应釜中取出，自然冷却至室温；

4）用去离子水反复洗涤基片上及步骤3）溶液中得到的沉淀物，烘干得到放射状β-AgVO₃纳米线簇。

2. 根据权利要求1所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇，其特征在于，所述的氟源包括为氟化锂或氟化铵。

3. 根据权利要求1或2所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇，其特征在于，所述基片为普通玻璃基片或氧化铟锡导电玻璃基片（ITO）。

4. 根据权利要求3所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，步骤2）所述的基片的预处理方法是将普通玻璃基片置于氢氟酸处理20~40s，用去离子水超声10分钟后，置于红外灯下烘干，备用。

5. 根据权利要求3所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，步骤2）所述的基片的预处理方法是将氧化铟锡导电玻璃基片分别用无水乙醇、丙酮和去离子水超声清洗10分钟，重复3次后，置于红外灯下烘干，备用。

6. 权利要求1所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：

1）取AgNO₃、V₂O₅粉末和氟源按物质的量比2:1:6溶于去离子水，在搅拌条件下混合，得到前驱体溶液，备用； 

2）将基片进行预处理，备用；

3）将得到的前驱体溶液转移至100 mL反应釜，此时将预处理后的基片以30~60°的角度斜置于反应釜内衬中，在160 ~ 200℃下反应24~ 48小时，将基片从反应釜中取出，自然冷却至室温；

4）用去离子水反复洗涤基片上及步骤3）溶液中得到的沉淀物，烘干得到放射状β-AgVO₃纳米线簇。

7. 根据权利要求6所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，所述的氟源包括为氟化锂或氟化铵。

8. 根据权利要求6或7所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，所述基片为普通玻璃基片或氧化铟锡导电玻璃基片（ITO）。

9. 根据权利要求8所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，步骤2）所述的基片的预处理方法是将普通玻璃基片置于氢氟酸处理20~40s，用去离子水超声10分钟后，置于红外灯下烘干，备用。

10. 根据权利要求8所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇制备方法，其特征在于，步骤2）所述的基片的预处理方法是将氧化铟锡导电玻璃基片分别用无水乙醇、丙酮和去离子水超声清洗10分钟，重复3次后，置于红外灯下烘干，备用。

11.权利要求1所述的放射状β-AgVO₃纳米线簇在作为锂离子电池正极活性材料方面的应用。