[发明专利]射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔

权利要求书

1.一种射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔，用于为射频宽带高功率电子管放大器输出回路进行调谐调配，其特征在于，包括：谐振腔内导体、谐振腔外导体、输出耦合电容、输出耦合电容调谐装置、射频输出同轴馈线、同轴薄膜隔直电容、谐振腔短路腔板、以及谐振腔短路腔板调谐装置；

所述谐振腔内导体与所述谐振腔外导体为同轴结构；在所述谐振腔内导体和所述谐振腔外导体之间的谐振腔内设置有所述谐振腔短路腔板，所述谐振腔短路腔板用于根据射频功率输出的频率对所述谐振腔进行调谐；所述谐振腔短路腔板调谐装置与所述谐振腔短路腔板相连接，用于调节所述谐振腔短路腔板的位置；所述谐振腔内导体通过底部的所述同轴薄膜隔直电容与所述电子管放大器的阳极相连接，用于对所述电子管放大器发送的射频功率进行传输；所述输出耦合电容设置于所述所述谐振腔内导体和所述谐振腔外导体之间的谐振腔中与所述射频输出同轴馈线相对应的位置上，用于对射频功率输出进行调配；所述输出耦合电容谐装置的一端与所述输出耦合电容连接，并穿过所述射频输出同轴馈线的内部，使其另一端暴露于所述谐振腔外导体外，用于调节所述输出耦合电容的大小；所述射频输出同轴馈线设置于所述谐振腔外导体上，用于进行射频功率输出。

2.如权利要求1所述的谐振腔，其特征在于，所述谐振腔内导体为正方形框架结构、或同轴结构。

3.如权利要求2所述的谐振腔，其特征在于，所述谐振腔外导体为正方形框架结构。

4.如权利要求3所述的谐振腔，其特征在于，所述谐振腔采用3/4λ腔体结构形式。

5.如权利要求1所述的谐振腔，其特征在于，所述所述谐振腔内导体上设置有可打开的窗口，用于安装或取出所述电子管放大器。

6.如权利要求1所述的谐振腔，其特征在于，所述谐振腔短路腔板采用簧片滑板结构与所述谐振腔内导体和所述谐振腔外导体连接。

7.如权利要求1所述的谐振腔，其特征在于，所述射频输出同轴馈线在70MHz至110MHz频率范围之内，进行250KW的射频功率输出。