[发明专利]一种砂浆回收工艺无效
申请号: | 201210257491.9 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN102730688A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 石振亮;郑金发;苏友旗 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 砂浆 回收 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及硅材料加工处理技术领域,特别涉及一种砂浆回收工艺。
背景技术
在太阳能光伏等多个行业中,硅材料的应用十分广泛,而在对硅片等材料进行线切割等加工过程中,通常会产生砂浆,该砂浆内通常会含有硅粉和碳化硅等物质,为了提高原材料利用率,通常会对这些砂浆进行在处理以回收利用砂浆中剩余的硅粉和碳化硅等。
目前现有的砂浆回收工艺实施过程中,通常是利用酸碱等化学反应以及物理清洗的方法来完成。然而,虽然这种处理工艺能够满足基本的砂浆回收处理需要,但由于其碱反应过程中会产生大量的硅酸盐,不仅会增大后续水清洗工序的操作难度,还会对后期的回收纯度造成不利影响;同时这些硅酸盐还会在酸反应阶段产生硅酸,这些硅酸会呈胶状包裹在碳化硅的表面,降低碳化硅的反应速率,从而使得整个回收工艺的实施效率及其回收纯度受到相应影响。
因此,如何避免砂浆回收工艺过程中产生硅酸盐是本领域技术人员目前需要解决的重要技术问题。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种砂浆回收工艺,其处理过程中不会产生硅酸盐。
为解决上述技术问题,本发明提供一种砂浆回收工艺,包括步骤:
离心分离,将砂浆注入沉降离心机内,通过所述沉降离心机高速旋转产生的离心力将砂浆内的碳化硅混合物与含有硅粉等其他杂质的污水相分离并分别回收;
配浆,将由离心分离得到的碳化硅混合物与水进行混合;
酸洗,对由配浆得到的砂浆进行酸反应,以去除其内部残留的铁粉等金属杂质;
二次离心分离,将酸洗后所得到的砂浆注入沉降离心机内进行离心分离,以将碳化硅与含有杂质的污水相分离;
二次配浆,将经过二次离心分离处理的碳化硅与水混合;
离心清洗,对由二次配浆得到的砂浆进行离心清洗,以使碳化硅的纯度满足后续加工需要;
干燥,对离心清洗后的碳化硅进行干燥处理;
均匀化处理,对经过干燥处理的碳化硅进行均匀化处理,以使其满足后续加工工艺的处理需要。
优选地,所述步骤离心分离和所述步骤配浆均具体为多次,直到砂浆中碳化硅的纯度不低于98%。
优选地,所述步骤二次离心分离和所述步骤二次配浆均具体为多次。
优选地,所述步骤配浆和所述步骤二次配浆中,配制的砂浆中水与固态溶质的质量比为1.5:1。
优选地,所述步骤离心分离之后还包括步骤:
污水压滤,对经过离心分离后排出的污水进行加压过滤,以使其固态杂质与水相分离,并对其排出的水进行净化处理以使其成为能够被回收利用的回用水。
优选地,所述步骤污水压滤之后还包括步骤:
固废处理,对由所述步骤污水压滤中滤出的固态杂质进行相应净化处理,以使其满足相关排放标准。
优选地,所述步骤二次离心分离之后还包括步骤:
废水处理,对由所述步骤二次离心分离中分离出来的污水进行相应净化处理,以使其满足相关的排放标准。
相对上述背景技术,本发明所提供的砂浆回收工艺,通过依次进行的离心分离、配浆、酸洗、二次离心分离、二次配浆、离心清洗、干燥和均匀化处理工艺步骤,利用离心分离工艺代替原有的碱反应工艺,有效避免了工艺实施过程中因碱反应过程而出现的硅酸盐,从而大大降低了后续水清洗工序的操作难度,同时避免了硅酸盐在酸反应阶段产生硅酸的现象,从而保证了碳化硅的反应速率,进而使得整个砂浆回收工艺的实施效率及其回收纯度得以相应提高。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的砂浆回收工艺的流程图;
图2为本发明实施例二提供的砂浆回收工艺的流程图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种砂浆回收工艺,其处理过程中不会产生硅酸盐。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
请参考图1,图1为本发明实施例一提供的砂浆回收工艺的流程图。
本发明实施例一提供的砂浆回收工艺,包括:
步骤101:离心分离;
将砂浆注入沉降离心机内,通过所述沉降离心机高速旋转产生的离心力将砂浆内的碳化硅混合物与含有硅粉等其他杂质的污水相分离并分别回收。
步骤102:配浆;
将由离心分离得到的碳化硅混合物与水进行混合。
进一步地,上述步骤离心分离和配浆均依次重复进行多次,直到砂浆中碳化硅的纯度不低于98%,以满足后续工艺流程对碳化硅的纯度要求。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源有限公司,未经晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210257491.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:消音箱的隔音屏蔽门
- 下一篇:一种烟草原料的加料方法及该加料设备