[发明专利]发光二极管的基板及发光二极管的固晶方法

权利要求书

1.一种发光二极管的基板，其特征在于，包含：

一第一陶瓷板；

一缓冲材料层，位于该第一陶瓷板上；

一导电层，位于该缓冲材料层上，该导电层具有一发光二极管的固晶区域；以及

一第二陶瓷板，位于该导电层上，且其具有一开口区域借以裸露出该导电层的该固晶区域。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的基板，其特征在于，该固晶区域与该第二陶瓷板未与该导电层接触的表面齐平。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的基板，其特征在于，该导电层的材质为金属材质。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的基板，其特征在于，该缓冲材料层为一聚酰亚胺层。

5.一种发光二极管的固晶方法，其特征在于，包含：

提供一基板，其由下而上依序包含一第一陶瓷板、一缓冲材料层、一导电层以及一第二陶瓷板，该第二陶瓷板具有多个开口区域借以裸露出该导电层的多个固晶区域；

放置多个发光二极管芯片分别于该导电层上的该些固晶区域，其中每一该发光二极管芯片的底面具有一共晶层以与每一该固晶区域接触；

切割任两相邻该发光二极管芯片之间的该第二陶瓷板与该导电层，以于该缓冲材料层上留下多个切割道；以及

使用一加热块同时下压于该些发光二极管芯片上，使该些发光二极管芯片的各该共晶层分别固化于该导电层的该些固晶区域上。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的固晶方法，其特征在于，该加热块的温度大于该共晶层的共晶温度。

7.根据权利要求5所述的发光二极管的固晶方法，其特征在于，该共晶层为一双金属混合层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的固晶方法，其特征在于，该共晶层为一金、锡混合层。

9.根据权利要求5所述的发光二极管的固晶方法，其特征在于，该导电层的材质为一金属材质。

10.根据权利要求5所述的发光二极管的固晶方法，其特征在于，该缓冲材料层为一聚酰亚胺层。