[发明专利]液晶显示装置及其驱动方法有效
申请号: | 201210258179.1 | 申请日: | 2012-07-24 |
公开(公告)号: | CN103278951A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 吕博嘉;钱栋;孔详梓;顾寒昱 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G09G3/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 驱动 方法 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术,特别涉及一种液晶显示装置及其驱动方法。
背景技术
传统的液晶显示装置通过使用电场控制液晶分子旋转来显示图像。如图1所示,传统的液晶显示装置100通常包括:液晶面板101,形成于液晶面板101上的多条数据线102、多条栅极线103、多条公共电极线104、多个栅极线触发电路(包括Gate1触发电路、Gate2触发电路、Gate3触发电路、Gate4触发电路…直至Gate n-1触发电路、Gate n触发电路)和多个公共电极线触发电路(包括COM1触发电路、COM2触发电路、COM3触发电路、COM4触发电路…COM n-1触发电路、COM n触发电路)。
在图1中,定义第一方向为垂直方向,定义第二方向为水平方向。所述数据线102在第一方向上延伸,所述栅极线103在第二方向上延伸并与所述数据线102交叉,所述公共电极线104与所述栅极线103平行并与所述数据线102交叉。所述多条数据线102和栅极线103所限定的区域为显示区域。液晶面板101上还配置有薄膜晶体管(TFT),其用于驱动处于交叉部分的液晶元件CLC。另外,液晶面板101还配备有存储电容CST,用于维持液晶元件CLC的电压。当栅极线103提供一栅极电压给TFT的栅极后TFT被打开,这时如果数据线102提供一驱动电压给像素电极107且公共电极线104提供一公共电压给公共电极108时,在所述液晶元件CLC上的会产生一电场,可以改变液晶分子的排列从而控制液晶元件CLC的透光率。
在液晶面板101上,所述每一栅极线103的一端连接一个栅极线触发电路,用于向该栅极线103选择提供栅极电压,该栅极线的另一端连接该行的共电极线触发电路,用于触发该公共电极线触发电路并向该行的公共电极线104选择提供一公共电压。所述栅极线触发电路位于显示区域的一侧,所述公共电极线触发电路位于显示区域的另一侧。当公共电压施加到公共电极且栅极电压被输入以将数据电压施加到像素电极107时,存储电容CST开始充电,到栅极电压撤销TFT被关断后充电结束,存储电容CST充电期间的时间为充电时间。足够的充电时间后,存储电容CST上的电压为数据电压和公共电压之差,在TFT关断后,存储电容CST以此电压保持液晶分子的旋转。
当栅极电压从最左端的像素传递到最右端时,会发生延迟时间,栅极电压传递到最右端后才触发公共电极线触发电路,公共电极线触发触发后在将公共电压提供给公共电极线,公共电压在从最右端的像素传递到最左端,还会发生延迟时间。上述两次延迟时间,导致在对TFT施加一栅极电压时,要经过一定的延迟时间后,公共电压才能施加到公共电极108上。上述延迟时间为RC延迟,受栅极线和公共电极线的电阻以及相关寄生电容的影响较大,电阻越大相关寄生电容越大,上述延迟时间越长。上述延迟时间的存在,会使存储电容CST的充电时间变短,从而导致存储电容CST无法充电到预定的电压值,最终造成液晶分子无法旋转到预定位置显示应有显示。
为了保持液晶分子的电极性,对于液晶显示装置的驱动方式主要分为公共电压不变的驱动方式和公共电压翻转的驱动方式。图2是在公共电压翻转的驱动方式的时序图。如图2所示,在每一条栅极线施加上栅极电压以后,由于存在延迟时间t,施加到该条公共电极线的公共电压会晚于栅极电压的施加,这会导致存储电容CST的充电时间T变短,以致存储电容CST的电压无法达到数据电压和公共电压之差,从而影响显示效果。
随着液晶显示装置的分辨率越来越高,分布在液晶面板上的栅极线和公共电极线变的越来越多,相同刷新频率下分配到每次存储电容CST的充电时间越来越短,同时,面板高开口率要求栅极线和公共电极线越来越细,导致电阻越来越大,RC延迟时间也越来越长,综合以上两方面的原因,存储电容CST的有效充电时间变得越来越短,这也成为影响高分辨率的液晶显示装置的一个突出问题。
因此有必要开发一种液晶显示装置及其驱动方法,以减小或消除上述延迟时间对存储电容CST充电时间的影响。
发明内容
本发明提供一种液晶显示装置及其驱动方法,以减小或消除上述延迟时间对存储电容CST充电时间的影响。
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