[发明专利]一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料、第二传导类型的半导体材料和化学配比失配绝缘材料交替排列构成，位于衬底层之上；

半导体结材料层，为半导体材料或金属，位于漂移层表面，形成PN结或肖特基势垒结。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料，为化合物绝缘材料，其化合物元素配比为非饱和状态，即不能满足绝缘材料中原子最外层电子数量为8个。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述的化合物绝缘材料可以为氧化物或氮化物。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料可以位于第一传导类型的半导体材料和第一传导类型的半导体材料之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料可以位于第一传导类型的半导体材料中。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料可以位于第二传导类型的半导体材料中。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的化学配比失配绝缘材料可以不与半导体结材料层相连，浮空在漂移层中。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体结装置可以应用于平面结构的半导体器件。

10.如权利要求1所述的一种具有化学配比失配绝缘材料的电荷补偿半导体结装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1）在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘材料；

2）进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3）在沟槽内形成依次形成第二导电半导体材料和化学配比失配绝缘材料，然后进行反刻蚀；

4）腐蚀去除表面绝缘材料，淀积势垒金属烧结形成肖特基势垒结，或者注入第二导电类型杂质退火形成PN结。