[发明专利]驱动电路

权利要求书

1.一种驱动电路，用以驱动一功率金属氧化物半导体晶体管，包含：

一第一驱动支路，包含：

一第一开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一开关栅极，用以接收一开关信号；

一电流源；以及

一第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一箝位栅极，用以接收一参考电压，其中该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位漏极连接于该第一开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第一开关漏极，该第一箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第一箝位源极连接于该电流源；

一第二驱动支路，包含：

一第二开关N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二开关栅极，用以接收反相的该开关信号；

一电流供应P型金属氧化物半导体晶体管，具有连接于该第一箝位源极的一电流供应栅极以及连接于一第一电位的一电流供应源极；以及

一第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第二箝位栅极，用以接收该参考电压，其中该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位漏极连接于该第二开关N型金属氧化物半导体晶体管的一第二开关漏极，该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一第二箝位源极连接于该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管的一电流供应漏极，其中该第二箝位源极输出一驱动电压至该功率金属氧化物半导体晶体管的一功率栅极；以及

一电容串，包含相串联的多个电容，该电容串的一第一端用以接收反相的该开关信号，该电容串的一第二端连接于该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管的该电流供应栅极，以将反相的该开关信号耦合至该电流供应栅极。

2.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一电位为一正电位。

3.如权利要求1所述的驱动电路，其中该功率金属氧化物半导体晶体管为一高压金属氧化物半导体晶体管（high voltage MOS；HVMOS）。

4.如权利要求3所述的驱动电路，其中该驱动电压与该第一电位的一电压差小于一特定电压值。

5.如权利要求4所述的驱动电路，其中该驱动电压的一最小值为该参考电压及该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管的一阈值电压的和。

6.如权利要求5所述的驱动电路，其中该参考电压为该第一电位与该功率栅极的一最高耐压值的差。

7.如权利要求1所述的驱动电路，其中当该控制信号为一第一状态，使该第一开关N型金属氧化物半导体晶体管导通以及使该第二开关N型金属氧化物半导体晶体管关闭，该电容串将反相的该开关信号耦合至该电流供应栅极以使该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管导通，进一步使该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管导通以及使该驱动电压上升以关闭该功率金属氧化物半导体晶体管。

8.如权利要求7所述的驱动电路，其中当该控制信号为一第二状态，使该第一开关N型金属氧化物半导体晶体管关闭以及使该第二开关N型金属氧化物半导体晶体管导通，该电容串将反相的该开关信号耦合至该电流供应栅极以使该电流供应P型金属氧化物半导体晶体管关闭，进一步使该第二箝位P型金属氧化物半导体晶体管关闭以及使该驱动电压下降以导通该功率金属氧化物半导体晶体管。