[发明专利]电子束激励式光源装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子束激励式光源装置，通过将来自电子束源装置的电子束照射到半导体发光元件上，使该半导体发光元件进行发光。

背景技术

通过照射电子束使半导体发光元件进行发光的电子束激励式光源装置，正在作为小型且输出高的放射紫外线的光源而被期待，例如在专利文献1中所记载的电子束激励式光源装置为，如图6所示那样，将来自电子枪75的电子束照射到半导体发光元件74上，通过对该半导体发光元件74进行激励而射出紫外激光，该电子枪75设置在内部被保持为高真空的玻壳71的内部，该半导体发光元件74设置在面板72的内面、且在两面上配置有由Al、Ag等构成的反射层73a、73b。另外，在专利文献2中所记载的放射紫外激光的电子束激励式光源装置为，如图7所示那样，在内部以负压的状态被密闭且具有光透射窗81的真空容器80内，在光透射窗81的内面配置激光构造体85，该激光构造体85是在半导体发光元件82的两面上配置光反射部件83、84而构成的，并且，在该真空容器80的底壁的内面上，将电子束照射到半导体发光元件82上的电子束源86以与激光构造体85相对置的方式配置。

专利文献1：日本特开平06－303625号公报

专利文献2：日本专利第3667188号公报

接着，在电子束激励式光源装置中，作为半导体发光元件，虽然使用了例如在绝缘基板上多个半导体层通过晶体生长而层叠形成的部件，但伴随电子束激励式光源装置的高输出化以及小型化，发现了当从电子束源放射的电子照射到半导体发光元件的一面上时，由于电子的碰撞，而在半导体发光元件的一面上或在该一面侧的周侧面上会积存电荷而被充电。结果，会产生如下问题：由于从电子束源放射的电子束的轨道变化，或者，来自电子束源的电子被半导体发光元件的一面所排斥等原因，变得不能够将来自电子束源的电子束效率良好地入射到半导体发光元件的一面上，发光效率降低。

发明内容

本发明是基于以上的情况而做出的，提供一种电子束激励式光源装置，能够将来自电子束源装置的电子束效率良好地照射到半导体发光元件的一面上，并能够获取高光输出。

本发明的电子束激励式光源装置为，在真空容器的内部配置电子束源装置和半导体发光元件而成，该半导体发光元件被从该电子束源装置放射的电子束激励从而放射紫外光，电子束激励式光源装置的特征在于，

在上述半导体发光元件，设置有用于去除来自上述电子束源装置的电子束所入射的一面上的电荷的导电性的除电部件。

在本发明的电子束激励式光源装置中，优选构成为，上述半导体发光元件经由导电性支承体被固定在上述真空容器内，上述除电部件与上述导电性支承体电连接。

发明效果

根据本发明的电子束激励式光源装置，通过构成为设置有除电部件，该除电部件用于去除半导体发光元件的被来自电子束源装置的电子束照射的一面上的电荷，由此防止或抑制在半导体发光元件的被来自电子束源装置的电子束照射的一面上因来自电子束源装置的电子束的照射而积存电荷，因此，能够将来自电子束源装置的电子束效率良好地照射到半导体发光元件的一面上，并能够获取高光输出。

附图说明

图1是表示本发明的电子束激励式光源装置的一例的构成的概略的说明图，（A）是表示侧面截面图，（B）是表示取下了光透射窗的状态的俯视图。

图2概略地表示图1所示的电子束激励式光源装置的电子束源装置的构成，是图1（B）的A－A线的放大截面图。

图3是表示图1所示的电子束激励式光源装置的半导体发光元件的构成的概略的说明用截面图。

图4是表示在实施例1中制作的比较用的电子束激励式光源装置的半导体发光元件的构成的说明用截面图。

图5是表示本发明的电子束激励式光源装置的其他例子的构成的概略的示意图。

图6是表示现有的电子束激励式光源装置的一例的构成的概略的说明用截面图。

图7是表示现有的电子束激励式光源装置的其他例子的构成的概略的说明用截面图。

附图标记说明

10 真空容器

11 容器基体

15 光透射窗

16 导电性支承体

18 半导体发光元件保持部件

20、201 半导体发光元件

20a 一面

20b 另一面

21 基板

22 缓冲层

25 活性层

26 量子阱层

27 障壁层

28 导电性膜

28a 引线部