[发明专利]铸锭单晶硅的方法无效
| 申请号： | 201210258876.7 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102747417A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 武鹏;游达;胡亚兰;郑玉芹 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铸锭 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铸锭单晶硅的方法，包括在容器底部紧密排列地铺设籽晶及在籽晶上面添加硅料的步骤，其特征在于，铺设的籽晶中，相邻籽晶相互接触的侧面晶向不同，籽晶相互接触的侧面晶向形成5~45度的夹角。
2.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅的方法，其特征在于，所述籽晶垂直方向晶向一致。
3.根据权利要求1或2所述的铸锭单晶硅的方法，其特征在于，所述籽晶垂直方向的晶向为<100>。
4.根据权利要求1所述的铸锭单晶硅的方法，其特征在于，至少使用两种具有不同侧面晶向的籽晶，它们在垂直方向的晶向一致。
5.根据权利要求4所述的铸锭单晶硅的方法，其特征在于，所述籽晶交错排列。
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