[发明专利]应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构有效
申请号: | 201210259875.4 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN102751161A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 李震宇;陈勇;江洪 | 申请(专利权)人: | 公安部第三研究所 |
主分类号: | H01J49/02 | 分类号: | H01J49/02;H05B3/42 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁;郑暄 |
地址: | 200031*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 离子 迁移 探测仪 半导体 加热 结构 | ||
1.一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,所述的离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔,其特征在于,所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。
2.根据权利要求1所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其特征在于,所述的半导体电热膜为氧化锡半导体电热膜。
3.根据权利要求1所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其特征在于,所述的半导体电热膜通过热喷涂工艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体外表面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其特征在于,所述的陶瓷绝缘管体的两端还分别设置有两个金属环,所述的半导体加热离子迁移管结构通过所述的两个金属环固定连接于所述的离子迁移谱探测仪的结构部件。
5.根据权利要求4所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其特征在于,所述的两个金属环分别焊接固定于所述的陶瓷绝缘管体的两端。
6.根据权利要求4所述的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其特征在于,所述的半导体电热膜覆盖于所述的两个金属环之间的陶瓷绝缘管体外表面上。
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