[发明专利]自来水电子软化装置无效
申请号: | 201210260333.9 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN102745822A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 刘德军;黄勇 | 申请(专利权)人: | 刘德军 |
主分类号: | C02F5/00 | 分类号: | C02F5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自来水 电子 软化 装置 | ||
技术领域
本发明属于电子与水处理技术领域,是关于一种自来水电子软化装置。
背景技术
自来水中的水垢主要成分是钙、镁、铁、铝、锰的碳酸盐、硫酸盐及硝酸盐等,且常含有汞、镉、砷、铅等少量有害元素。自来水中的水垢如不及时清除,将直接影响人们的日常生活和工业生产。在日常生活中,自来水的硬度过高,非常容易在容器内形成水垢,一旦形成水垢使烧开水浪费1/3以上的燃料。不仅如此,水壶或电热水器使用一段时间后,其内壁就会结满一层厚厚的白色水垢,如不及时清除,反复用来烧水、水中有害元素的积累会越来越多,并且有些元素有可能再次溶于水中,长期饮用这样水后也会引起人体的健康问题。
人们在生活中积累了一些趋利避害的措施,例如:借助电子消除装置产生的交变高压电场,干扰或重组自来水中用于形成水垢的钙、镁等离子,改变自来水中绝大部分的碳酸钙镁、碳酸钙镁及汞、镉、铅、砷离子原有特性,从而阻止水垢的形成,使自来水在煮沸过程中很难再形成水垢沉淀。
本发明所述的自来水电子软化装置运用此原理,通过粘贴在PPR自来水管上的两块半圆形金属片形成的高压电场来实现除垢功能。
以下详细说明本发明所述的自来水电子软化装置在制作过程中所涉及的相关技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:自来水的硬度过高,非常容易在容器内形成水垢,一旦形成水垢将使烧开水浪费1/3以上的燃料,长期饮用这样水后也会引起人体的健康问题。人们在生活中积累了一些趋利避害的措施,例如:借助电子消除装置产生的交变高压电场,干扰或重组自来水中用于形成水垢的钙、镁等离子,改变自来水中绝大部分的碳酸钙镁、碳酸钙镁及汞、镉、铅、砷离子原有特性,从而阻止水垢的形成,使自来水在煮沸过程中很难再形成水垢沉淀。
本发明所述的自来水电子软化装置运用此原理,通过粘贴在PPR自来水管上的两块半圆形金属片形成的高压电场来实现除垢功能。
电路的工作原理:自来水电子软化装置用粘贴在PPR塑料自来水管外壁上下的两块半圆形金属片,借助电场来消除自来水中的水垢。
用时基电路IC1接成无稳态多谐振荡器。电位器RP的活动臂调在中间位置时,无稳态多谐振荡电路的振荡频率约为700Hz。为取得较强的交变高压电场,将升压变压器T输出的交变峰值电压提升到≥400V,电容C2与升压变压器T的初级线圈L2组成串联谐振电路。为了安全,高频振荡变压器T的次级线圈L1通过降压电阻R1、降压电阻R2使电路输出呈高阻状态。高频电压两个输出端子通过两根软线连接到两块金属片上,用于产生高压电场,两块金属片应做好绝缘处理,以防止人体触电。
技术特征:自来水电子软化装置,它由12V直流电源、电源滤波电路、无稳态多谐振荡电路及升压电路组成,其特征在于:
无稳态多谐振荡电路:由时基电路IC1、电阻R3、电位器RP和电容C3组成,无稳态多谐振荡电路中的时基电路IC1选用的型号为NE555;时基电路IC1的第4脚和第8脚接12V直流电源的正极VCC,时基电路IC1的第2脚和第6脚与电位器RP的一端及其活动臂、电容C3的一端相连,电容C3的另一端和时基电路IC1的第1脚接电路地GND,电位器RP的另一端和电阻R3的一端接时基电路IC1的7脚,电阻R3的另一端接12V直流电源的正极VCC,时基电路IC1的第3脚接升压电路;
升压电路:由电容C2、升压变压器T、降压电阻R1和降压电阻R2组成,时基电路IC1的第3脚接电容C2的一端,电容C3的另一端接升压变压器T初级线圈L2的一端,升压变压器T初级线圈L2的另一端接电路地GND,升压变压器T次级线圈L1的一端通过降压电阻R1接高频电压输出端子a,升压变压器T次级线圈L1的另一端通过降压电阻R2接高频电压输出端子b。
电源滤波电路:电解电容C1的正极接12V直流电源正极VCC,电解电容C1的负极接电路地GND,12V直流电源的负极与电路地GND相连。
附图说明
附图1是本发明提供一个自来水电子软化装置的实施例电路工作原理图;两块半圆形的金属片分别接在高频电压输出端子a和高频电压输出端子b上。
具体实施方式
按照附图1所示自来水电子软化装置的电路工作原理图和附图说明,并且按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间的连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本发明。
元器件的选择及其技术参数
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