[发明专利]用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：

栅线和数据线，所述栅线和所述数据线在基板上彼此交叉以限定像素区域；

公共线，所述公共线与所述栅线隔开并且平行；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于像素区域中并且与所述栅线和数据线连接；

钝化层，所述钝化层位于所述薄膜晶体管上；以及

像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极交替布置以产生共面电场，其中所述像素电极和公共电极中的每个都具有双层结构，即下层由反射性导电材料形成，上层由透明导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述双层结构的像素电极和公共电极具有大约0.5μm至小于2.2μm的宽度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述像素电极和所述公共电极中每个的所述下层由钼（Mo）、钼-钛（MoTi）、铜（Cu）或者氮化铜（CuN_x）制成，所述像素电极和所述公共电极中每个的所述上层由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）或者铝掺杂氧化锌（AZO）制成。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述下层具有大约至大约的厚度，所述上层具有大约至大约的厚度，并且其中所述上层比所述下层厚。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述像素电极和所述公共电极通过利用电化现象并且能够对所述双层结构的两层都进行蚀刻的蚀刻剂形成。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，所述蚀刻剂包含有过氧化氢（H₂O₂）、氟化铵（NH₄F）和苯并三唑（BTA），或者所述蚀刻剂包含有过氧化氢（H₂O₂）、氟化铵（NH₄F）和氨基四唑（ATZ）。

7.一种用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成具有第一厚度的反射性导电材料层；

在H₂O气体条件下在所述反射性导电材料层上形成具有第二厚度的透明导电材料层；

在所述透明导电材料层上形成光刻胶图案；以及

使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述透明导电材料层和所述反射性导电材料层，从而形成双层的像素电极和公共电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述透明导电材料层的步骤包括：

将具有所述反射性导电材料层的基板置于溅射设备的腔室中；

使所述腔室处于Ar气氛中；以及

使H₂O气体以大约0.5sccm至大约100sccm的流速流入到所述腔室中进行溅射以形成所述透明导电材料层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述H₂O气体的流速为30sccm至100sccm。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述公共电极和所述像素电极中的每个的宽度与所述H₂O气体的流速成反比。

11.根据权利要求7所述的方法，其中与所述像素电极和所述公共电极对应的所述光刻胶图案具有大约3.1μm的宽度，从而形成具有大约0.5μm至小于2.2μm宽度的所述双层的像素电极和公共电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中使用蚀刻剂的所述蚀刻步骤进行第一时间段，所述蚀刻剂利用了电化现象并能够对所述双层像素电极和公共电极的两层都进行蚀刻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻剂包含有过氧化氢（H₂O₂）、氟化铵（NH₄F）和苯并三唑（BTA），或者所述蚀刻剂包含有过氧化氢（H₂O₂）、氟化铵（NH₄F）和氨基四唑（ATZ）。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一时间段为80秒至100秒。