[发明专利]发光二极管封装以及承载板有效

专利信息
申请号: 201210260681.6 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103311402A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 詹勋伟 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 以及 承载
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装,包括:

壳体,具有开口,该开口具有开放式顶部、封闭式底部及多个侧壁,该些侧壁连接该封闭式底部及该开放式顶部,该壳体包括:

导线架,具有芯片座及至少一电极,该至少一电极经由至少一间隙而与该芯片座隔离,该芯片座包括第一沟槽与第二沟槽,该第一沟槽及该第二沟槽位于该壳体的该开口内,各沟槽的一端连接该至少一间隙;以及

第一绝缘材,部分地包覆该导线架以暴露一部分该芯片座的一上表面及一部分该至少一电极,且该第一绝缘材部分地填入该至少一间隙及该第一沟槽及该第二沟槽;

发光二极管芯片,配置于暴露的该芯片座的该上表面上,且位于该第一沟槽及该第二沟槽之间;

至少一导线,连接该发光二极管芯片至该至少一电极的暴露部分;以及

第二绝缘材,包覆该发光二极管芯片及该导线。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装,其另包含光转变层,设于该第二绝缘材与该发光二极管芯片之间,该光转变层覆盖该发光二极管芯片。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装,其中填入该间隙、该第一沟槽及该第二沟槽的部分该第一绝缘材形成围绕该光转变层的一阻隔部。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装,其中该阻隔部的一上表面高于该芯片座的该上表面,且该阻隔部的该上表面在面向该发光二极管芯片的一侧为一斜面。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装,其中该阻隔部的一上表面实质上与该芯片座的该上表面共平面。

6.如权利要求3所述的发光二极管封装,其中该阻隔部的一上表面低于该芯片座的该上表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装,其中该至少一电极包括至少一凹部,且该第一绝缘材填入至少部分的该凹部。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装,其中该芯片座的该上表面包括至少一凹部,且该第一绝缘材填入至少部分的该凹部。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装,其中该第一绝缘材包括位于该围绕该发光二极管芯片的一壁体,该壁体与该导线架共同形成一凹陷杯状结构,且该暴露部分的该芯片座的该上表面及该暴露部分的该电极位于该凹陷杯状结构的一底部。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装,其中该凹陷杯状结构的该壁体的一侧壁上具有一缺口,以暴露出该电极的一打线接合区。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装,其中该第一绝缘材覆盖与该上表面同侧的除了该第一打线接合区、该第二打线接合区及一芯片承载区以外的该导线架的所有区域,该芯片承载区由该至少一间隙、该第一沟槽与该第二沟槽所定义。

12.一种承载板,用于一发光二极管封装,该承载板包括:

导线架,包括:

芯片座,具有上表面、下表面、第一沟槽及第二沟槽,该第一沟槽及该第二沟槽完全地横贯该上表面;以及

第一电极以及第二电极,分别位于该芯片座的相对两侧,该第一电极及该第二电极与该芯片座隔离,该芯片座与该第一电极通过一第一间隙分离,该第一间隙连通该第一沟槽的一第一端以及该第二沟槽的一第一端,该芯片座与该第二电极通过一第二间隙分离,该第二间隙连通该第一沟槽的一第二端以及该第二沟槽的一第二端,该芯片座的该上表面具有以该第一间隙、该第二间隙、该第一沟槽以及该第二沟槽为边界的一芯片承载区;以及

绝缘材,包覆部分的该导线架,其中该绝缘材至少暴露出该芯片座的该芯片承载区、一部分的该第一电极以及一部分的该第二电极,且一部分的该绝缘材填入该第一间隙、该第二间隙、该第一沟槽以及该第二沟槽。

13.如权利要求12所述的承载板,其中填入该第一间隙、该第二间隙、该第一沟槽以及该第二沟槽的部分该绝缘材形成围绕该芯片承载区的一阻隔部,该阻隔部的一上表面高于该芯片座的该上表面。

14.如权利要求13所述的承载板,其中该阻隔部的该上表面的一侧为一斜面。

15.如权利要求12所述的承载板,其中填入该第一间隙、该第二间隙、该第一沟槽以及该第二沟槽的部分该绝缘材形成围绕该芯片承载区的一阻隔部,该阻隔部的一上表面实质上与该芯片座的该上表面共平面。

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