[发明专利]集成调制器-激光器结构及其生产方法无效

专利信息
申请号: 201210260696.2 申请日: 2006-09-27
公开(公告)号: CN102790352A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 玛兹·罗索;西蒙·科达特;方瑞雨;盖德·艾伯特·罗格若 申请(专利权)人: 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/042
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要:
搜索关键词: 集成 调制器 激光器 结构 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种集成的调制器-激光器结构,包括:

激光源(6);

与所述激光源(6)集成的电吸收调制器(8),其中,所述电吸收调制器包括:

衬底(10);

n-InP缓冲层(26),布置在所述衬底的上表面上;

多量子阱结构(24),布置在所述n-InP缓冲层上;

其他层结构,包括包层(32)和触点层(34),布置在所述多量子阱结构上;

局部半绝缘层岛(14),其具有上部、下部以及侧部,所述侧部在所述岛的上部与下部之间延伸,所述多量子阱结构与所述局部半绝缘岛的侧部接触但不存在于所述局部半绝缘岛的正下方;

电吸收调制器触点焊盘(38、40),所述触点焊盘布置在所述其他层结构上并位于所述局部半绝缘层岛(14)上方,使得所述触点焊盘对准所述岛并以所述岛为中心。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述激光源(6)是分布反馈激光器。

3.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述激光源包括触点焊盘(36),所述电吸收调制器的触点焊盘与所述激光源的触点焊盘(38、36)之间具有绝缘区域(44)。

4.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述半绝缘层是Fe-InP层(14)。

5.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述结构是垂直侧壁脊形结构的形式。

6.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述结构是倒脊形结构的形式。

7.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于,所述其他层结构还包括间隔层(28)、光栅层(30)、覆盖层(31)和绝缘层(42)。

8.一种包括与激光源(6)集成的电吸收调制器(8)的结构的生产方法,所述方法包括:

形成所述激光源;

形成所述电吸收调制器,其中,所述电吸收调制器包括:

衬底(10);

n-InP缓冲层(26),布置在所述衬底的上表面上;

多量子阱结构(24),布置在所述n-InP缓冲层上;

其他层结构,包括包层(32)和触点层(34),布置在所述多量子阱结构上;

局部半绝缘层岛(14),其具有上部、下部以及侧部,所述侧部在所述岛的上部与下部之间延伸,所述多量子阱结构与所述局部半绝缘岛的侧部接触但不存在于所述局部半绝缘岛的正下方;

电吸收调制器触点焊盘(38、40),所述触点焊盘布置在所述其他层结构上并位于所述局部半绝缘层岛(14)上方,使得所述触点焊盘对准所述岛并以所述岛为中心。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,形成所述激光源的步骤包括生产分布反馈激光器的的步骤。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,它包括下列步骤:

为所述激光源提供接触焊盘(38、36),和

在所述电吸收调制器的接触焊盘与所述激光源的接触焊盘(38、36)之间生产绝缘区域(44)。

11.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,它包括以Fe-InP层(14)的形式提供所述半绝缘层的步骤。

12.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述方法包括以垂直侧壁脊形结构的形式提供所述集成结构的步骤。

13.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述方法包括以倒脊形结构的形式提供所述集成结构的步骤。

14.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述其他层结构还包括间隔层(28)、光栅层(30)、覆盖层(31)和绝缘层(42)。

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