[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

内部电压输入缓冲器，所述内部电压输入缓冲器被配置成根据内部电压节点的电压电平与参考电压节点的电压电平之间比较的结果来确定上拉驱动节点和下拉驱动节点的电压电平，以使上拉驱动节点和下拉驱动节点维持电压电平差；以及

内部电压驱动模块，所述内部电压驱动模块被配置成响应于所述上拉驱动节点的电压电平而将所述内部电压节点上拉驱动，并响应于所述下拉驱动节点的电压电平而将所述内部电压节点下拉驱动。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

电流提供模块，所述电流提供模块相对于所述内部电压驱动模块以电流镜形式与所述上拉驱动节点连接，并被配置成将源电流提供给所述内部电压节点，其中，由所述电流提供模块提供的电流量是由所述内部电压驱动模块提供给所述内部电压节点的电流量的N倍，N是大于1的整数；以及

电流吸收模块，所述电流吸收模块相对于所述内部电压驱动模块以电流镜形式与所述下拉驱动节点连接，并被配置成允许电流从所述内部电压节点流出，其中，流经所述电流吸收模块的电流量是由所述内部电压驱动模块从所述内部电压节点吸收的电流量的N倍。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部电压输入缓冲器包括：

电压检测单元，所述电压检测单元被配置成比较所述内部电压节点的电压电平与所述参考电压节点的电压电平；以及

驱动节点电平确定单元，所述驱动节点电平确定单元被配置成响应于所述电压检测单元的输出信号而确定所述上拉驱动节点和所述下拉驱动节点的电压电平，使得维持所述电压电平差。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电压检测单元包括：

第一输入部，所述第一输入部被配置成响应于所述内部电压节点的电压电平而控制流经第一输入电流路径的电流的幅值；

第二输入部，所述第二输入部被配置成响应于所述参考电压节点的电压电平而控制流经第二输入电流路径的电流的幅值；以及

检测电压输出部，所述检测电压输出部被配置成响应于流经所述第一输入电流路径的电流的幅值与流经所述第二输入电流路径的电流的幅值的差来控制检测电压的电压电平。

5.如权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第一输入部响应于所述内部电压节点的电压电平以轨到轨类型来控制流经所述第一输入电流路径的电流的幅值，以及

其中，所述第二输入部响应于所述参考电压节点的电压电平以轨到轨类型来控制流经所述第二输入电流路径的电流的幅值。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述检测电压输出部包括：

第一输出电流路径，所述第一输出电流路径与所述第一输入电流路径并联连接到电流源，其中，根据流经所述第一输入电流路径的电流的幅值来控制流经所述第一输出电流路径的电流量；以及

第二输出电流路径，所述第二输出电流路径与所述第一输出电流路径连接成电流镜形式，与所述第二输入电流路径并联连接到电流源，以及与检测电压输出端子连接，使得根据流经所述第一输出电流路径的电流的幅值来控制流经所述第二输入电流路径和所述检测电压输出端子的电流的幅值。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述驱动节点电平确定单元包括：

提供电流源，所述提供电流源被配置成将第一幅值的电流提供给所述上拉驱动节点；

吸收电流源，所述吸收电流源被配置成允许第二幅值的电流从所述下拉驱动节点流出；以及

浮置电流源，所述浮置电流源被配置成允许第三幅值的电流总是在所述上拉驱动节点与所述下拉驱动节点之间流动，并将所述上拉驱动节点或所述下拉驱动节点的电压电平改变了所述下拉驱动节点或所述上拉驱动节点的电压电平变化量，所述下拉驱动节点或所述上拉驱动节点的电压电平变化量与经由所述电压检测单元的输出节点供应到所述下拉驱动节点或所述上拉驱动节点的电流量相对应。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述浮置电流源包括：

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管包括与所述上拉驱动节点连接的漏极端子、与所述下拉驱动节点连接的源极端子、以及具有被供应第一偏压的栅极端子，并且被配置成在饱和状态下操作；以及

PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有与所述上拉驱动节点连接的源极端子、与所述下拉驱动节点连接的漏极端子、以及具有被供应第二偏压的栅极端子，并且被配置成在饱和状态下操作。