[发明专利]多晶硅沉积装置

权利要求书

1.一种多晶硅沉积装置，其特征在于，包括：

反应室；

N个硅芯棒，配置在所述反应室内部，具有通过电流通电的一对硅棒，并被通电的电流加热，且通过工艺气体的反应而沉积多晶硅；

夹套单元，形成有M个收容孔，该收容孔收容具有一对所述硅棒的N个所述硅芯棒，工艺气体被供给至该收容孔并进行反应，而且，所述夹套单元冷却被收容于M个所述收容孔的所述硅芯棒的一对所述硅棒。

2.根据权利要求1所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

在所述夹套单元中形成的M个所述收容孔的数量为2N个，以与各具有一对所述硅棒的N个所述硅芯棒对应。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

N个所述硅芯棒与所述夹套单元彼此可分离地结合。

4.根据权利要求1所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

电极部，该电极部设在N个所述硅芯棒的一对所述硅棒的下部，并分别具有供给电流的第一电极及第二电极。

5.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

加热部，该加热部配置于所述夹套单元的M个所述收容孔，用于加热M个所述收容孔。

6.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

向所述夹套单元的M个所述收容孔供给工艺气体的气体供给单元，

所述气体供给单元配置在所述夹套单元的下部，并通过所述夹套单元向所述收容孔供给工艺气体。

7.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

向所述夹套单元的M个所述收容孔供给工艺气体的气体供给单元，

所述气体供给单元配置在所述夹套单元的外部，并通过所述夹套单元向所述收容孔供给工艺气体。

8.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

所述硅芯棒还包括相互连接一对所述硅棒且露出于所述夹套单元外部的棒连接部；

所述多晶硅沉积装置还包括屏蔽部件，该屏蔽部件配置在所述夹套单元的上部，覆盖所述硅芯棒的所述棒连接部，以将所述棒连接部相对于所述反应室的内部空间进行隔离。

9.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

监控部，该监控部设置于所述反应室，通过在所述夹套单元上形成的开口部监控所述硅芯棒的沉积过程。

10.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

所述夹套单元的所述收容孔上下连通，从而使从所述收容孔的上部排出的工艺气体通过所述收容孔的下部再次流入。

11.根据权利要求1所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

在所述反应室的上部具有用于排出所述反应室内部的工艺气体的多个排出口。

12.根据权利要求3所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

所述夹套单元至少具有两个，以便将N个所述硅芯棒相互分开收容。

13.一种多晶硅沉积装置，其特征在于，包括：

多个硅芯棒，通过电流的供给而被加热，且通过工艺气体的反应而沉积多晶硅；

夹套单元，与多个所述硅芯棒对应地形成有收容硅棒的多个收容孔；

屏蔽部件，配置在所述夹套单元的上部，将所述硅芯棒与外部隔离。

14.根据权利要求13所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

多个所述硅芯棒与所述夹套单元彼此可分离地结合。

15.根据权利要求14所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

至少具有两个所述夹套单元，各所述夹套单元收容多个所述硅芯棒且以模块方式被统一化。

16.根据权利要求15所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，还包括：

向所述夹套单元供给冷却剂的冷却剂供给单元。

17.根据权利要求16所述的多晶硅沉积装置，其特征在于，

所述冷却剂供给单元与所述夹套单元通过单一管道连接。