[发明专利]一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法

权利要求书

1.一种双极性多级平面阻变存储器，其特征在于，包括掺杂Nb的SrTiO₃单晶导电衬底，在导电衬底的一侧表面上制备有用于与导电衬底的接触界面形成阻变层的肖特基电极，该侧表面上还制备有与所述肖特基电极分离设置的欧姆电极；所述导电衬底掺杂Nb含量为0.05~1%。

2.根据权利要求1所述的一种双极性多级平面阻变存储器，其特征在于，所述肖特基电极由至少两行、每行直线排列的肖特基电极单元构成；所述欧姆电极由至少两行、每行直线排列的欧姆电极单元构成；肖特基电极单元行与欧姆电极单元行平行、交替分布。

3.根据权利要求2所述的一种双极性多级平面阻变存储器，其特征在于，所述肖特基电极单元与欧姆电极单元的厚度为10~400nm，面积为10^-4~10mm²。

4.一种导电衬底，其特征在于，所述导电衬底为掺杂Nb含量0.05~1%的SrTiO₃单晶导电衬底。

5.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤如下：

步骤一：选取掺杂Nb含量0.05~1%的SrTiO₃单晶导电衬底，进行清洗、烘干；

步骤二：在导电衬底的表面生长一层金属或金属化合物作为肖特基电极，肖特基电极与导电衬底的接触界面形成阻变层；

步骤三：在导电衬底的表面制备欧姆电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，在真空条件下制备肖特基电极的电极薄膜，制备温度选择在400℃以下。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，制备欧姆电极的方式为：金属合金直接低温点焊到导电衬底表面，以金属合金为欧姆电极。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，制备欧姆电极的方式为：首先打磨抛光的导电衬底面，使之粗糙；然后在粗糙的表面上压制金属铟，把金属铟作为欧姆电极。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，制备欧姆电极的方式为：把导电银漆或者银胶涂在导电衬底表面作为欧姆电极。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述欧姆电极为真空熔融的高纯金属铟。