[发明专利]版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法

权利要求书

1.一种针对浅层离子注入层的版图逻辑运算方法，其特征在于包括：

首先获取这些浅层离子注入层的版图，版图是版图设计人员画的原始版图，或

者是经过逻辑运算产生的层的版图；

根据版图图案计算出光刻胶图案；

从光刻胶图案中找出位于隔离区上的光刻胶细长线条，所述光刻胶细长线条指的是长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶部分；

其中，由于光刻胶细长线条邻接部分的器件区域掺杂类型相同，同时隔离区上的该离子注入是无效的，所以可将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并。

2.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，逻辑运算仅仅针对浅层离子注入无法打穿的隔离区上的离子注入版图间距，即生产过程中的光刻胶所在位置的版图进行处理。

3.根据权利要求1所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，将所述光刻胶细长线条邻接部分与所述光刻胶细长线条合并的步骤可包括：首先找出位于隔离区上的长度大于第一尺寸且宽度小于第二尺寸的光刻胶细长线条；然后合并光刻胶细长线条邻接部分的器件区域的浅层掺杂版图图形，从而使至少一部分所述位于隔离区上的光刻胶细长线条得以消除，使其消除在生产过程中剥离、产生缺陷、降低合格率的可能风险。

4.根据权利要求2所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，由于部分隔离区上的光刻胶被消除，所以新增加了部分隔离区上的离子注入区域，即光刻胶连接的新增部分；经过版图逻辑运算后形成的浅层离子注入区域的包含所述新增部分以及原有版图的离子注入区域同时满足原有设计规则以及不再存在隔离区上光刻胶细长线条的新增设计规则检查错误。

5.根据权利要求1至4之一所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，只针对完全位于隔离区上的光刻胶图案执行所述版图逻辑运算方法。

6.根据权利要求1至4之一所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，所述光刻胶细长线条包括成角度的曲线线条。

7.根据权利要求1至4之一所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，所述光刻胶细长线条包括成直角的曲线线条。

8.根据权利要求1至4之一所述的版图逻辑运算方法，其特征在于，所谓细长的光刻胶细长线条长度小于第一尺寸L，宽度小于第二尺寸W，并且L与W的确定是由光刻机生产能力决定的。

9.一种根据权利要求1至8之一所述的版图逻辑运算方法的集成电路制造方法。