[发明专利]沟槽的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽的制作方法，包括以下步骤：

步骤（S1）、提供半导体衬底；

步骤（S2）、在所述半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；

步骤（S3）、以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，采用六氟化硫和氧气对所述半导体衬底进行蚀刻；

其特征在于，在所述步骤（S3）中，

所述蚀刻过程包括多个蚀刻阶段，并且在所述多个蚀刻阶段中所述六氟化硫和氧气的气体流量比例逐渐减小，以形成沟槽。

2.如权利要求1所述的沟槽的制作方法，其特征在于，所述蚀刻过程包括三个蚀刻阶段，在第一个蚀刻阶段中，所述六氟化硫和氧气的气体流量比例为0.56：1至0.64：1；在第二个蚀刻阶段中，所述六氟化硫和氧气的气体流量比例为0.46：1至0.54：1；在第三个蚀刻阶段中，所述六氟化硫和氧气的气体流量比例为0.36：1至0.44：1。

3.如权利要求1或2所述的沟槽的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度为1微米至2微米。

4.如权利要求1所述的沟槽的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

5.如权利要求1所述的沟槽的制作方法，其特征在于，所述蚀刻过程中气体压力范围为30~45毫托，源射频功率的范围为700瓦特~800瓦特，偏压射频功率范围为130瓦特~230瓦特，温度范围为10~20摄氏度。