[发明专利]半导体制造系统无效
申请号: | 201210261976.5 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102760634A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 沈瑜俊;赵洪涛;王喆;马东;吴奇昆;孙亭 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 系统 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种半导体制造系统。
背景技术
在半导体制造过程中,有时候需要将待处理晶圆放置在处理腔中进行处理。具有处理腔的处理装置的下方有时候会放置与该具有处理腔的处理装置相连的其它处理装置。具有处理腔的处理装置有时会通过液体管道从外部输入处理液体或者向外部排除处理液体。
在实际的工艺过程中,与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连的液体管道容易发生泄漏。这时,如果与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连的液体管道由于发生泄漏而流出处理液体时,则流出的处理液体会流到具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置上,从而损害这些其它处理装置。
具体地说,图1示意性地示出了根据现有技术的这种半导体制造系统的框图。
如图1所示,根据现有技术的这种半导体制造系统包括:具有处理腔的第一处理装置1、与第一处理装置1连接的第二处理装置5(例如,用于向处理装置1的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置)、以及布置在第二处理装置5上的第三处理装置4(例如,用于调节由射频能量发生器装置向处理装置1的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置)。
其中,第二处理装置5和第三处理装置4布置在具有处理腔的第一处理装置1下方。
并且,液体管道2在连接点3与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连。如果与具有处理腔的第一处理装置1的腔体盖相连的液体管道2在连接点3处发生泄漏而流出处理液体时,则流出的处理液体会流到具有处理腔的第一处理装置1的下方的其它处理装置(第二处理装置5和/或第三处理装置4)上,从而损害这些其它处理装置,并且可能由于与处理腔的盖子相连接的水管漏水而造成晶圆报废。
因此,希望提供一种能够防止由于与具有处理腔的处理装置相连的液体管道发生泄漏而损害具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置的半导体制造系统。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够防止由于与具有处理腔的处理装置相连的液体管道发生泄漏而损害具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置的半导体制造系统。
根据本发明,提供了一种半导体制造系统,其包括:液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置;其中,所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连;并且,所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方;所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间,其中,所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体,从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。
优选地,上述半导体制造系统还包括:在所述漏液阻挡装置中布置的液体感测器,所述液体感测器在感测到所述漏液阻挡装置中接收到液体时发出警报信息。
优选地,在上述半导体制造系统中,所述报信息是闪烁光信息或蜂鸣声信息。
优选地,在上述半导体制造系统中,所述第二处理装置是于向处理装置的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置。所述第三处理装置是用于调节由射频能量发生器装置向处理装置的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置。
优选地,在上述半导体制造系统中,所述漏液阻挡装置是一个托盘。
根据本发明的上述结构,如果与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连的液体管道在连接点处发生泄漏而流出处理液体时,则流出的处理液体会流到具有处理腔的第一处理装置的下方的漏液阻挡装置上,而不会流到第二处理装置和/或第三处理装置上,从而不会损害这些其它处理装置。
并且,根据本发明的上述结构,半导体制造系统的操作人员可以在第一时间获悉液体管道发生漏液现象,从而可以及时对液体管道进行修理或替换。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据现有技术的半导体制造系统的框图。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的半导体制造系统的框图。
图3示意性地示出了根据本发明第二实施例的半导体制造系统的框图。
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