[发明专利]一种EEPROM存储单元的制造方法有效
| 申请号： | 201210262379.4 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579119A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 隋建国;徐丹;左燕丽 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 eeprom 存储 单元 制造 方法 | ||
1.一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.在P型硅衬底上形成场氧；
二.在场氧间的P型硅衬底上生长一层高压氧化层；
三．通过光刻胶在高压氧化层上定义隧道区窗口；
四.在定义的隧道区窗口下的P型硅衬底注入N型离子；
五.湿法刻蚀，去除遂道区窗口的高压氧化层；
六.去除光刻胶，在硅片上生长遂道氧化层；
七.进行离子活化，隧道区窗口周边的P型硅衬底形成遂道区；
八.在遂道氧化层上形成多晶硅浮栅，多晶硅浮栅位于遂道区窗口到遂道区左侧的P型硅衬底上方；
九.在多晶硅浮栅上面及侧面形成控制栅介质层；
十.在硅片上依次淀积控制栅多晶硅层、WSi层；
十一.光刻刻蚀后进行N型离子注入，形成存储晶体管的源区、扩散区、选择晶体管的漏区；存储晶体管的源区形成在控制栅介质层左侧的P型硅衬底中并与遂道区隔离，扩散区形成在控制栅介质层右侧的P型硅衬底中并与隧道区右部连通；
十二.进行后续工艺，形成EEPROM存储单元。
2.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
所述高压氧化层的厚度在290埃到310埃之间。
3.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
步骤四中，注入N型离子为As，注入能量为70Kev到90Kev，注入剂量为2E14到3E14个原子每平方厘米。
4.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
步骤四中，注入N型离子为P，注入能量为50Kev到70Kev，注入剂量为6E14到8E14个原子每平方厘米。
5.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
步骤六中，在遂道区窗口处生长的遂道氧化层厚度为80埃到86埃。
6.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
步骤七中，离子活化的温度为1000摄氏度，时间为50分钟。
7.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，
步骤八中，多晶硅浮栅的厚度为1450埃到1550埃。
8.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，步骤九中，控制栅介质层为0N0结构。
9.根据权利要求1所述的一种EEPROM存储单元的制造方法，其特征在于，步骤十中，控制栅多晶硅层的厚度为1500埃，WSi层的厚度约为1500埃。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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