[发明专利]铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料、制备方法及应用无效

专利信息
申请号: 201210262580.2 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN103571469A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 周明杰;王平;陈吉星;钟铁涛 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;H01L51/54
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 铥钬共 掺杂 玻璃 转换 发光 材料 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料、其制备方法及使用该铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。

背景技术

有机发光二极管(OLED)由于组件结构简单、生产成本便宜、自发光、反应时间短、可弯曲等特性,而得到了极广泛的应用。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难,极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。

上转换荧光材料能够在长波(如红外)辐射激发下发射出可见光,甚至紫外光,在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但是,可由红外,红绿光等长波辐射激发出蓝光发射的铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料,仍未见报道。

发明内容

基于此,有必要提供一种可由长波辐射激发出蓝光的铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料、其制备方法及使用该铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料的有机发光二极管。

一种铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料,其化学式为GeO2-SiO2:xTm3+,yHo3+,其中,x为0.002~0.06,y为0.002~0.04。

在其中一个实施例中,x为0.03,y为0.01。

一种铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料的制备方法,包括以下步骤:

按照GeO2-SiO2:xTm3+,yHo3+各元素的化学计量比称取GeO2,SiO2,Tm2O3和Ho2O3粉体,其中,x为0.002~0.06,y为0.002~0.04;

将称取的粉体溶于硝酸中配制成浓度金属阳离子的浓度为0.5mol/L~3mol/L的溶液;

将所述溶液雾化成气雾状后随载气一起通入温度为100℃~220℃的石英管生成前驱体,其中石英管的直径为30mm~150mm,长度为0.5m~3m,载气的流量为1L/min~15L/min;

将所述前驱体在600℃~1300℃下煅烧2小时~5小时得到化学式为GeO2-SiO2:xTm3+,yHo3+的铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料。

在其中一个实施例中,x为0.03,y为0.01。

在其中一个实施例中,将称取的粉体溶于硝酸中配制成溶液的步骤还包括:往所述溶液中添加分散剂,所述分散剂的浓度为0.005mol/L~0.05mol/L。

在其中一个实施例中,所述分散剂为聚乙二醇。

在其中一个实施例中,将所述溶液雾化成气雾状的步骤为,将载气及所述溶液一起通入雾化器中使所述溶液雾化成气雾状,所述载气为惰性气体或还原性气体。

在其中一个实施例中,所述载气的流量为5L/min~8L/min。

一种有机发光二极管,包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层,所述透明封装层中掺杂有铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料,所述铥钬共掺杂锗硅玻璃上转换发光材料的化学通式为GeO2,SiO2,Tm2O3和Ho2O3粉体,其中,x为0.002~0.06,y为0.002~0.04。

在其中一个实施例中,x为0.03,y为0.01。

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