[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

形成于所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；

形成于所述电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及

形成于所述电子供给层和所述栅电极之间的p型半导体层，

其中所述p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型半导体层为包含p型杂质的SiC层。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述SiC层处于非晶态。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述p型杂质为Al或Ga。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，还包括n型半导体层，所述n型半导体层形成于所述电子供给层上方并且至少在所述栅电极和所述源电极之间、以及在所述栅电极和所述漏电极之间。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，其中所述n型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为n型杂质。

7.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，其中包含在所述n型半导体层中的所述n型杂质为氮(N)。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，还包括：pn结二极管，所述pn结二极管包括连接至所述源电极的第二p型半导体层以及连接至所述漏电极的第二n型半导体层，其中，

所述第二p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质，以及

所述第二n型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为n型杂质。

9.一种电源装置，包括：

化合物半导体器件，所述化合物半导体器件包括：

衬底；

形成于所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；

形成于所述电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及

形成于所述电子供给层和所述栅电极之间的p型半导体层，

其中所述p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。

10.一种放大器，包括：

化合物半导体器件，所述化合物半导体器件包括：

衬底；

形成于所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；

形成于所述电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及

形成于所述电子供给层和所述栅电极之间的p型半导体层，

其中所述p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。

11.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成电子沟道层和电子供给层；

在所述电子供给层上方形成p型半导体层；

在所述电子供给层上或者上方的在俯视图中在夹持着所述p型半导体层的位置处形成源电极和漏电极；以及

在所述p型半导体层上形成栅电极，

其中所述p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。

12.根据权利要求11所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述p型半导体层为包含p型杂质的SiC层。

13.根据权利要求12所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述SiC层处于非晶态。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述p型杂质为Al或Ga。

15.根据权利要求11至13中任一项所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：在所述电子供给层上方并且至少在所述栅电极和所述源电极之间、以及在所述栅电极和所述漏电极之间形成n型半导体层。

16.根据权利要求15所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述n型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为n型杂质。