[发明专利]一种传感器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210262962.5 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN102800750A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 徐少颖;谢振宇;陈旭 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 传感器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形,与漏极连接的数据线的图形,与源极连接的接收电极的图形,位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;其中,所述源极和漏极相对而置形成沟道;

通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;

通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;

通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;

通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形,与栅极连接的栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成栅极的图形、栅线的图形和偏压线的图形的步骤之后,该方法进一步包括:

通过一次构图工艺形成覆盖基板的钝化层的图形,所述钝化层具有信号引导区过孔。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形,具体包括:

在衬底基板上依次沉积数据线金属、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层,并在透明电极层之上涂覆光刻胶;

采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光,其中,不透光区对应形成接收电极、PIN光电二极管和透明电极的区域;半透光区对应形成源极、漏极和数据线的区域;

对基板进行显影、刻蚀,形成透明电极的图形、光电二极管的图形和接收电极的图形;

对基板进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离,形成源极和漏极的图形,以及数据线的图形。

4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述透明电极的图形通过湿法刻蚀形成,或者,所述透明电极的图形与光电二极管的图形同时通过干法刻蚀形成。

5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述源极、漏极、数据线和接收电极的材质相同;所述栅线、栅极和偏压线的材质相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210262962.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top