[发明专利]一种传感器的制造方法有效
申请号: | 201210262962.5 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102800750A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 制造 方法 | ||
1.一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形,与漏极连接的数据线的图形,与源极连接的接收电极的图形,位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;其中,所述源极和漏极相对而置形成沟道;
通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;
通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;
通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形,所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔;
通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上、沟道上方的栅极的图形,与栅极连接的栅线的图形,以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成栅极的图形、栅线的图形和偏压线的图形的步骤之后,该方法进一步包括:
通过一次构图工艺形成覆盖基板的钝化层的图形,所述钝化层具有信号引导区过孔。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形,具体包括:
在衬底基板上依次沉积数据线金属、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层,并在透明电极层之上涂覆光刻胶;
采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光,其中,不透光区对应形成接收电极、PIN光电二极管和透明电极的区域;半透光区对应形成源极、漏极和数据线的区域;
对基板进行显影、刻蚀,形成透明电极的图形、光电二极管的图形和接收电极的图形;
对基板进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离,形成源极和漏极的图形,以及数据线的图形。
4.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述透明电极的图形通过湿法刻蚀形成,或者,所述透明电极的图形与光电二极管的图形同时通过干法刻蚀形成。
5.如权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述源极、漏极、数据线和接收电极的材质相同;所述栅线、栅极和偏压线的材质相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210262962.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种面板门
- 下一篇:一种铁路冷链用多温区冷库
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的