[发明专利]一种启动电路及集成该电路的供电系统无效
申请号: | 201210263995.1 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102778912A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 周泽坤;黄建刚;罗明;吴杰;石跃;邱实;明鑫;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 启动 电路 集成 供电系统 | ||
1.一种启动电路,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、一反相器、一电容单元、一电阻单元、一稳压单元,其中,第二NMOS管的栅端和反相器的输入端相连并作为所述启动电路的输入端,反相器的输出端连接到第一NMOS管的栅端,第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管的源端和衬底都连接到地,第一PMOS管的栅端、第二PMOS管MOS管的漏端、第二NMOS管的漏端、电容单元的第一端子、第三NMOS管的栅端、第四PMOS管的栅端连接在一起,电容单元的第二端子与电源电压相连接,第一PMOS管的漏端和第二PMOS管的栅端连接到第一NMOS管的漏端,第一PMOS管、第二PMOS管、第四PMOS管的源端和衬底连接到电源电压,第四PMOS管漏端和第三NMOS管MN3的漏端、第三PMOS管、第五PMOS管的栅端连接在一起,第三PMOS管的衬底和第五PMOS管的衬底连接到电源电压、电阻单元连接在第三PMOS管的源端和电源电压之间,第三PMOS管的漏端和第五PMOS管的源端连接到稳压单元的第一端子、稳压单元的第二端子连接到地,第五PMOS管的漏端作为所述启动电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述的稳压单元具体为一齐纳二极管,齐纳二极管的负向端作为所述稳压单元的第一端子,齐纳二极管的正向端作为所述稳压单元的第二端子。
3.根据权利要求1所述的启动电路,其特征在于,所述的电容单元具体为MOS电容。
4.根据权利要求3所述的启动电路,其特征在于,所述的MOS电容具体通过第六PMOS管实现,其中,第六PMOS管的栅端作为所述电容单元的第一端子,第六PMOS管的源端和漏断连接在一起,作为所述电容单元的第二端子。
5.一种集成了权利要求1至4任一权利要求所述的启动电路的自启动内部供电系统,还包括:基准电压源、LDO、比较电路、一二极管和一开关装置,其中,启动电路的输出端与基准电压源的启动输入端和二极管的负向端相连,基准电压源为LDO提供基准源,LDO的输出端作为所述供电系统的输出端,比较电路的两个输入端用于输入基准电压源产生的基准源和LDO的输出电压,比较电路的输出端与启动电路的输入端及开关装置的控制端相连,开关装置的第一端子和第二端子分别接二极管的正向端和LDO的输出端。
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