[发明专利]具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法及其制得的阵列基板

权利要求书

1.一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在基板上形成透明导电层；

步骤3、在透明导电层上形成导电增强层；

步骤4、在导电增强层上形成光伏层；

步骤5、在光伏层形成金属层；

步骤6、通过光罩制程在金属层、光伏层、导电增强层及透明导电层上形成开口；

步骤7、在金属层上形成透明绝缘层；

步骤8、在透明绝缘层上形成TFT阵列。

2.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。

3.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层，其通过溅射工艺形成于基板上。

4.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电增强层为3，4-乙撑二氧噻吩单体聚合物层，其通过涂布方式形成于透明导电层上。

5.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光伏层为有机聚合物光伏层、有机小分子光伏层或P-N结型光伏层，其通过涂布方式形成于导电增强层上。

6.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属层为铝层，其通过溅射工艺形成于光伏层上。

7.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光罩制程包括曝光、显影及蚀刻工艺。

8.如权利要求1所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明绝缘层为氮化硅层，其通过涂布方式形成于金属层上。

9.一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板，其特征在于，包括：基板、设于基板上的光伏电池、设于光伏电池上的TFT阵列及设于光伏电池与TFT阵列之间的透明绝缘层，所述光伏电池包括透明导电层、形成于透明导电层上的导电增强层、形成于导电增强层上的光伏层及形成于光伏层上的金属层。

10.如权利要求9所述的具有嵌入式光伏电池的阵列基板，其特征在于，所述基板为玻璃基板；所述透明导电层为氧化铟锡层；所述导电增强层为3，4-乙撑二氧噻吩单体聚合物层；所述光伏层为有机聚合物光伏层、有机小分子光伏层或P-N结型光伏层；所述金属层为铝层；所述透明绝缘层为氮化硅层。