[发明专利]IGBT沟槽型栅极的制造方法无效
| 申请号： | 201210264335.5 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103050388A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;李琳松;肖胜安;孙勤;孙娟;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 沟槽 栅极 制造 方法 | ||
1.一种IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：
第1步，在沟槽内生长一层栅氧化层；
第2步，采用LPCVD法淀积第一层多晶硅；
第3步，对第一层多晶硅进行回刻，打开沟槽的开口；
第4步，对沟槽剩余的缝隙间采用LPCVD法填充缓冲层；
第5步，对缓冲层进行回刻，将硅片表面以及沟槽顶部的缓冲层刻蚀干净，同时沟槽内的缝隙间保留有一定的缓冲层；
第6步，采用LPCVD法淀积第二层多晶硅，多晶硅将缝隙的缓冲层包裹且与第一层多晶硅连接形成整体构成栅极。
2.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第2步及第6步中LPCVD炉管沉积多晶硅的温度为450～700℃。
3.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第2步及第6步中LPCVD炉管沉积多晶硅的压力为10～1000Pa。
4.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第2步中淀积的第一层多晶硅的厚度为使沟槽内剩余水平方向空隙间距为
5.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第3步中多晶硅回刻使用部分回刻，保留的多晶硅厚度为
6.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第4步中缓冲层淀积的次数为1～5次。
7.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第4步中沉积的缓冲层是二氧化硅，或者是HTO型氧化物，或者是其他低应力的膜，成膜方法不仅限于LPCVD法，成膜温度为700～900℃，成膜压力为10～1000Pa。
8.如权利要求1所述的IGBT沟槽型栅极的制造方法，其特征在于：所述第5步中回刻后保留的缓冲层厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
