[发明专利]电子可编程熔丝空置有源区添加方法以及电子可编程熔丝有效
| 申请号： | 201210264372.6 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760720A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 可编程 空置 有源 添加 方法 以及 | ||
1.一种电子可编程熔丝空置有源区添加方法，所述电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；
其特征在于所述电子可编程熔丝空置有源区添加方法包括：在所述第一电极和所述第二电极之间区域的硅片中布置一个或多个附加空置有源区。
2.根据权利要求1所述的电子可编程熔丝空置有源区添加方法，其特征在于还包括在相邻的附加空置有源区之间布置浅沟槽。
3.根据权利要求2所述的电子可编程熔丝空置有源区添加方法，其特征在于，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；所述第一金属硅化物部分和所述第二金属硅化物部分均为金属硅化物，其中所述第一金属硅化物部分为附加空置有源区上方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为所述浅沟槽上方的金属硅化物。
4.根据权利要求1或2所述的电子可编程熔丝空置有源区添加方法，其特征在于，所述附加空置有源区和所述浅沟槽所构成的整体的上表面起伏不平，从而造成它们上方的由所述第一金属硅化物部分和所述第二金属硅化物部分组成的多晶硅熔丝表面也起伏不平。
5.根据权利要求1或2所述的电子可编程熔丝空置有源区添加方法，其特征在于，所述第一电极以及所述第二电极上布置有接触孔。
6.一种根据权利要求1至5之一所述的电子可编程熔丝空置有源区添加方法制成的电子可编程熔丝，其特征在于包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；并且其中，在所述第一电极和所述第二电极之间区域的硅片中布置了一个或多个附加空置有源区。
7.根据权利要求6所述的电子可编程熔丝，其特征在于，在相邻的附加空置有源区之间布置了浅沟槽。
8.根据权利要求7所述的电子可编程熔丝，其特征在于，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；所述第一金属硅化物部分和所述第二金属硅化物部分均为金属硅化物，其中所述第一金属硅化物部分为附加空置有源区上方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为所述浅沟槽上方的金属硅化物。
9.根据权利要求6或7所述的电子可编程熔丝，其特征在于，所述附加空置有源区和所述浅沟槽所构成的整体的上表面起伏不平，从而造成它们上方的由所述第一金属硅化物部分和所述第二金属硅化物部分组成的多晶硅熔丝表面也起伏不平。
10.根据权利要求6或7所述的电子可编程熔丝，其特征在于，所述第一电极以及所述第二电极上布置有接触孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210264372.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种反激式电源转换装置及应用该装置的液晶显示产品
- 下一篇：一种冷库夹芯板
