[发明专利]通孔优先铜互连制作方法

权利要求书

1.一种通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，包括：

在衬底硅片上沉积介质层，并在所述介质层上涂布第一光刻胶，以及在所述第一光刻胶中形成通孔结构，所述第一光刻胶能够形成硬膜；

在同一显影机台内，在所述第一光刻胶图形上涂布凝固材料使得所述第一光刻胶中的通孔结构固化，并通过加热使所述凝固材料与所述第一光刻胶表面反应，从而在所述第一光刻胶表面形成隔离膜；

在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶，其中，上述步骤所形成的隔离膜不溶于该第二光刻胶，并在所述第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构；

将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中；

继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺，以完成导线金属和通孔金属填充。

2.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述介质层具有低介电常数。

3.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5：1。

4.如权利要求3所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶采用含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷之一或组合的光刻胶。

5.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述凝固材料为含烷氧基的高分子材料。

6.如权利要求5所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述凝固材料为含烷氧基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。

7.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述加热的温度为30摄氏度至200摄氏度之间的任一值。

8.如权利要求7所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述加热的温度为50摄氏度至170摄氏度之间的任一值。

9.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，还包括：生成隔离膜之后，通过显影液将多余的凝固材料去除。