[发明专利]电子可编程熔丝空置接触孔添加方法以及电子可编程熔丝

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种电子可编程熔丝空置接触孔添加方法、以及根据该电子可编程熔丝空置接触孔添加方法制成的电子可编程熔丝。

背景技术

电子可编程熔丝（electrically programmable fuse，即eFuse）技术利用金属电迁移现象发展起来的一种技术，它能和CMOS工艺技术兼容，面积小。主要用做执行冗余、现场修复芯片、对芯片重新编程，使电子产品变得更加智能化。

通常的电子可编程熔丝器件版图如图1所示，图中标号2和标号3分别表示两个电极（其上布置有接触孔，如黑色方框所示），标号1为两电极间的多晶硅熔丝。当在两电极之间加以较高电流时，在较高的电流密度的作用下，相关原子将会沿着电子运动方向进行迁移，形成空洞，最终断路，这种现象就是电迁移（EM）现象。电子可编程熔丝器件就是利用多晶硅熔丝中的电迁移现象，使得多晶硅熔丝在熔断之前和熔断之后的电阻发生变化（通常熔断之后的电阻为熔断之前的电阻的10~1000倍），从而达到可编程的目的。

电子可编程熔丝器件的电迁移现象与多晶硅熔丝中的电流密度分布紧密相关，当多晶硅熔丝中的电流密度分布不均匀（即存在电流密度梯度）的时候，相关原子在两个电极方向上受电子风力状况不同，从而更容易发生电迁移现象，使得多晶硅熔丝更容易熔断。

因此，希望能够提供一种能够增强电子可编程熔丝器件的熔断性能的技术。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够增强电子可编程熔丝器件的熔断性能的电子可编程熔丝空置接触孔添加方法、以及根据该电子可编程熔丝空置接触孔添加方法制成的电子可编程熔丝。

根据本发明的第一方面，提供了一种电子可编程熔丝空置接触孔添加方法，所述电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；其中所述电子可编程熔丝空置接触孔添加方法包括：在所述多晶硅熔丝上布置一个或多个附加空置接触孔。

优选地，在所述电子可编程熔丝空置接触孔添加方法中，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；其中所述第一金属硅化物部分为空置接触孔下方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为多晶硅熔丝的非空置接触孔下方的区域的金属硅化物。

优选地，在所述电子可编程熔丝空置接触孔添加方法中，所述第一电极以及所述第二电极上布置有接触孔。

根据本发明的第二方面，提供了一种根据本发明的第一方面所述的电子可编程熔丝空置接触孔添加方法制成的电子可编程熔丝，其包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；其中，在所述多晶硅熔丝上布置了一个或多个附加空置接触孔。

优选地，在所述电子可编程熔丝中，所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；其中所述第一金属硅化物部分为空置接触孔下方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为多晶硅熔丝的非空置接触孔下方的区域的金属硅化物。

优选地，在所述电子可编程熔丝中，所述第一电极以及所述第二电极上布置有接触孔。

根据本发明的第三方面，提供了一种电子可编程熔丝，其特征在于采用了根据本发明的第三方面所述的电子可编程熔丝空置接触孔添加方法。

本发明通过在通常的电子可编程熔丝器件的多晶硅熔丝上增加附加空置接触孔，使得附加空置接触孔底部的硅化物厚度减小，从而增加电子可编程熔丝器件中的电流密度变化，增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的电子可编程熔丝器件的版图。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的电子可编程熔丝器件的版图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的电子可编程熔丝器件的截面图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的电子可编程熔丝器件的版图。