[发明专利]化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210264652.7 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035696A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 宫岛丰生;今西健治;山田敦史;中村哲一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
电子传输层；
电子供给层，形成在所述电子传输层上方；以及
覆盖层，形成在所述电子供给层上方；
其中，所述覆盖层包含在与所述电子传输层和所述电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与所述电子传输层和所述电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，所述电子传输层和所述电子供给层中的每个具有晶体生长面（0001）；以及
所述覆盖层包含：包括晶体生长面（0001）的所述第一晶体和包括晶体生长面（000-1）的所述第二晶体。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中，所述覆盖层定位在所述电子供给层上方的预定区域中。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，还包括形成在所述覆盖层上的电极。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中，所述覆盖层包含p型掺杂剂。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中，所述第二晶体以倒三角形状形成。
7.一种用于制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：
形成电子传输层；
在所述电子传输层上方形成电子供给层；以及
在所述电子供给层上方形成覆盖层，所述覆盖层包含在与所述电子传输层和所述电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与所述电子传输层和所述电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。
8.根据权利要求7所述的用于制造化合物半导体器件的方法，
其中，所述电子传输层和所述电子供给层中的每个具有晶体生长面（0001）；以及
所述覆盖层包含：包括晶体生长面（0001）的所述第一晶体和包括晶体生长面（000-1）的所述第二晶体。
9.根据权利要求7或8所述的用于制造化合物半导体器件的方法，
其中，形成所述覆盖层，使得所述覆盖层定位在所述电子供给层上方的预定区域中。
10.根据权利要求7或8所述的用于制造化合物半导体器件的方法，所述方法还包括在所述覆盖层上形成电极。
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